IRL3803L中文資料IRF數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書
IRL3803L規(guī)格書詳情
Description
Fifth Generation HEXFETs from international Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast swiching speed and urggedized device design that HEXFET Power MOSFETs are well known for, provides the designer with extrmely efficient and reliable device for use in a wide variety of applications.
● Logic-Level Gate Drive
● Advanced Process Technology
● Surface Mount(IRL3803S)
● Low-profile through-hole(IRL3803L)
● 175°C Operating Temperature
● Fast Switching
● Fully Avalanche Rated
產(chǎn)品屬性
- 型號：
IRL3803L
- 功能描述：
MOSFET N-CH 30V 140A TO-262
- RoHS：
否
- 類別：
分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單
- 系列：
HEXFET®
- 標(biāo)準(zhǔn)包裝：
1,000
- 系列：
MESH OVERLAY™ FET
- 型：
MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET
- 特點：
邏輯電平門
- 漏極至源極電壓(Vdss)：
200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°
- C：
18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
- C：
180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的
- Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @
- Vgs：
72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @
- Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
- 最大：
40W
- 安裝類型：
通孔
- 封裝/外殼：
TO-220-3 整包
- 供應(yīng)商設(shè)備封裝：
TO-220FP
- 包裝：
管件
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Infineon Technologies |
24+ |
原裝 |
5000 |
原裝正品,提供BOM配單服務(wù) |
詢價 | ||
IR |
23+ |
TO-262-3 |
11846 |
一級代理商現(xiàn)貨批發(fā),原裝正品,假一罰十 |
詢價 | ||
IRF |
23+ |
NA |
19960 |
只做進(jìn)口原裝,終端工廠免費送樣 |
詢價 | ||
IR |
23+ |
TO-262 |
35890 |
詢價 | |||
IR |
2020+ |
TO-262 |
8000 |
只做自己庫存,全新原裝進(jìn)口正品假一賠百,可開13%增 |
詢價 | ||
IR |
23+ |
TO-262-2 |
10000 |
原廠授權(quán)一級代理,專業(yè)海外優(yōu)勢訂貨,價格優(yōu)勢、品種 |
詢價 | ||
IR/VISHAY |
22+ |
TO-220 |
20000 |
保證原裝正品,假一陪十 |
詢價 | ||
IR |
05+ |
TO-262 |
3 |
一級代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力 |
詢價 | ||
IR |
2015+ |
TO-262 |
12500 |
全新原裝,現(xiàn)貨庫存長期供應(yīng) |
詢價 | ||
IR |
23+ |
TO-262 |
50000 |
全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨 |
詢價 |
