IRL1104S中文資料IRF數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書
IRL1104S規(guī)格書詳情
VDSS = 40V
RDS(on) = 0.008?
ID = 104A?
Description
Fifth Generation HEXFET? power MOSFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve the lowest possible on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET? power MOSFETs are well known for, provides the designer with an extremely efficient device for use in a wide variety of applications.
● Advanced Process Technology
● Surface Mount (IRL1104S)
● Low-profile through-hole (IRL1104L)
● 175°C Operating Temperature
● Fast Switching
● Fully Avalanche Rated
● Logic-Level Gate Drive
產(chǎn)品屬性
- 型號：
IRL1104S
- 功能描述：
MOSFET N-CH 40V 104A D2PAK
- RoHS：
否
- 類別：
分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單
- 系列：
HEXFET®
- 標(biāo)準(zhǔn)包裝：
1,000
- 系列：
MESH OVERLAY™ FET
- 型：
MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET
- 特點：
邏輯電平門
- 漏極至源極電壓(Vdss)：
200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°
- C：
18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
- C：
180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的
- Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @
- Vgs：
72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @
- Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
- 最大：
40W
- 安裝類型：
通孔
- 封裝/外殼：
TO-220-3 整包
- 供應(yīng)商設(shè)備封裝：
TO-220FP
- 包裝：
管件
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IR |
2020+ |
TO-263 |
80000 |
只做自己庫存,全新原裝進口正品假一賠百,可開13%增 |
詢價 | ||
TH/韓國太虹 |
2048+ |
TO-263 |
9851 |
只做原裝正品現(xiàn)貨!或訂貨假一賠十! |
詢價 | ||
IR |
2023+ |
D2-PAK |
50000 |
原裝現(xiàn)貨 |
詢價 | ||
Infineon Technologies |
23+ |
原裝 |
8000 |
只做原裝現(xiàn)貨 |
詢價 | ||
IR |
2022+ |
D2-PAK |
48000 |
只做原裝,原裝,假一罰十 |
詢價 | ||
Infineon Technologies |
23+ |
原裝 |
7000 |
詢價 | |||
Infineon Technologies |
2022+ |
TO-263-3,D2Pak(2 引線 + 接片 |
38550 |
全新原裝 支持表配單 中國著名電子元器件獨立分銷 |
詢價 | ||
IR |
2021+ |
TO-263 |
100500 |
一級代理專營品牌!原裝正品,優(yōu)勢現(xiàn)貨,長期排單到貨 |
詢價 | ||
IR |
TO-263 |
68900 |
原包原標(biāo)簽100%進口原裝常備現(xiàn)貨! |
詢價 | |||
IR/VISHAY |
22+ |
SOT263 |
20000 |
保證原裝正品,假一陪十 |
詢價 |
