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IRGS4B60KD1中文資料IRF數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

IRGS4B60KD1
廠商型號

IRGS4B60KD1

功能描述

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE

文件大小

377.18 Kbytes

頁面數(shù)量

15

生產(chǎn)廠商 International Rectifier
企業(yè)簡稱

IRF

中文名稱

International Rectifier官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時間

2025-1-10 23:00:00

IRGS4B60KD1規(guī)格書詳情

Features

? Low VCE (on) Non Punch Through IGBT Technology.

? 10μs Short Circuit Capability.

? Square RBSOA.

? Positive VCE (on) Temperature Coefficient.

? Maximum Junction Temperature rated at 175°C.

Benefits

? Benchmark Efficiency for Motor Control.

? Rugged Transient Performance.

? Low EMI.

? Excellent Current Sharing in Parallel Operation.

產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    IRGS4B60KD1

  • 制造商:

    IRF

  • 制造商全稱:

    International Rectifier

  • 功能描述:

    INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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