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IRGP4650D-E分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料
| 廠商型號(hào) |
IRGP4650D-E |
| 參數(shù)屬性 | IRGP4650D-E 封裝/外殼為TO-247-3；包裝為管件；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單；產(chǎn)品描述：IGBT 600V 76A 268W TO247AD |
| 功能描述 | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTORWITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE |
| 封裝外殼 | TO-247-3 |
| 文件大小 |
338.53 Kbytes |
| 頁面數(shù)量 |
12 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | List of Unclassifed Manufacturers |
| 企業(yè)簡(jiǎn)稱 |
ETC1【etc未分類制造商】 |
| 中文名稱 | 未分類制造商 |
| 原廠標(biāo)識(shí) |  |
| 數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
| 更新時(shí)間 | 2025-1-24 10:50:00 |
產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號(hào)：
IRGP4650D-EPBF
- 制造商：
Infineon Technologies
- 類別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
- 包裝：
管件
- 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)（最大值）：
1.9V @ 15V，35A
- 開關(guān)能量：
390μJ（開），632μJ（關(guān)）
- 輸入類型：
標(biāo)準(zhǔn)
- 25°C 時(shí) Td（開/關(guān)）值：
46ns/105ns
- 測(cè)試條件：
400V，35A，10 歐姆，15V
- 工作溫度：
-55°C ~ 175°C（TJ）
- 安裝類型：
通孔
- 封裝/外殼：
TO-247-3
- 供應(yīng)商器件封裝：
TO-247AD
- 描述：
IGBT 600V 76A 268W TO247AD
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
INFINEON/英飛凌 |
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Infineon/英飛凌 |
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