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IRGP4263-EPBF分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料
| 廠商型號(hào) |
IRGP4263-EPBF |
| 參數(shù)屬性 | IRGP4263-EPBF 封裝/外殼為TO-247-3；包裝為管件；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單；產(chǎn)品描述：IGBT 650V 90A 300W TO-247 |
| 功能描述 | Insulated Gate Bipolar Transistor |
| 封裝外殼 | TO-247-3 |
| 文件大小 |
870.18 Kbytes |
| 頁面數(shù)量 |
11 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | International Rectifier |
| 企業(yè)簡(jiǎn)稱 |
IRF |
| 中文名稱 | International Rectifier官網(wǎng) |
| 原廠標(biāo)識(shí) |  |
| 數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
| 更新時(shí)間 | 2025-2-3 10:21:00 |
產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號(hào)：
IRGP4263-EPBF
- 制造商：
Infineon Technologies
- 類別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
- 包裝：
管件
- 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)（最大值）：
2.1V @ 15V，48A
- 開關(guān)能量：
1.7mJ（開），1mJ（關(guān)）
- 輸入類型：
標(biāo)準(zhǔn)
- 25°C 時(shí) Td（開/關(guān)）值：
70ns/140ns
- 測(cè)試條件：
400V，48A，10 歐姆，15V
- 工作溫度：
-40°C ~ 175°C（TJ）
- 安裝類型：
通孔
- 封裝/外殼：
TO-247-3
- 供應(yīng)商器件封裝：
TO-247AD
- 描述：
IGBT 650V 90A 300W TO-247
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Infineon |
1931+ |
N/A |
493 |
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詢價(jià) | ||
IR |
22+ |
TO-247 |
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詢價(jià) | ||
IR |
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TO-247 |
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TO-247 |
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Infineon |
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