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IRGP4068D-EPBF分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料

IRGP4068D-EPBF
廠商型號(hào)

IRGP4068D-EPBF

參數(shù)屬性

IRGP4068D-EPBF 封裝/外殼為TO-247-3;包裝為管件;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單;產(chǎn)品描述:IGBT TRENCH 600V 96A TO247AD

功能描述

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRA-LOW VF DIODE FOR INDUCTION HEATING AND SOFT SWITCHING APPLICATIONS

封裝外殼

TO-247-3

文件大小

326.54 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

10 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 International Rectifier
企業(yè)簡(jiǎn)稱

IRF

中文名稱

International Rectifier官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-3-3 22:59:00

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IRGP4068D-EPBF規(guī)格書詳情

VCES = 600V

IC = 48A, TC = 100°C

tSC ≥ 5μs, TJ(max) = 175°C

VCE(on) typ. = 1.65V

Features

? Low VCE (ON) Trench IGBT Technology

? Low Switching Losses

? Maximum Junction temperature 175 °C

? 5 μS short circuit SOA

? Square RBSOA

? 100 of the parts tested for ILM

? Positive VCE (ON) Temperature co-efficient

? Ultra-low VF Hyperfast Diode

? Tight parameter distribution

? Lead Free Package

Benefits

? Device optimized for induction heating and soft switching applications

? High Efficiency due to Low VCE(on), Low Switching Losses and Ultra-low VF

? Rugged transient Performance for increased reliability

? Excellent Current sharing in parallel operation

? Low EMI

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào):

    IRGP4068D-EPBF

  • 制造商:

    Infineon Technologies

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝:

    管件

  • IGBT 類型:

    溝道

  • 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)(最大值):

    2.14V @ 15V,48A

  • 開關(guān)能量:

    1.28mJ(關(guān))

  • 輸入類型:

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時(shí) Td(開/關(guān))值:

    -/145ns

  • 測(cè)試條件:

    400V,48A,10 歐姆,15V

  • 工作溫度:

    -55°C ~ 175°C(TJ)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-247-3

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    TO-247AD

  • 描述:

    IGBT TRENCH 600V 96A TO247AD

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
Infineon(英飛凌)
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