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IRGIB6B60KD116P

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE

Features ?LowVCE(on)NonPunchThroughIGBTTechnology. ?LowDiodeVF. ?10μsShortCircuitCapability. ?SquareRBSOA. ?UltrasoftDiodeReverseRecoveryCharacteristics. ?PositiveVCE(on)TemperatureCoefficient. Benefits ?BenchmarkEfficiencyforMotorControl. ?RuggedTransien

IRF

International Rectifier

IRGIB6B60KD116P

Package：TO-220-3 整包；包裝：管件 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 描述：IGBT 600V 11A 38W TO220FP

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    IRGIB6B60KD116P

  • 制造商：

    Infineon Technologies

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝：

    管件

  • IGBT 類型：

    NPT

  • 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)（最大值）：

    2.2V @ 15V，5A

  • 開關(guān)能量：

    110μJ（開），135μJ（關(guān)）

  • 輸入類型：

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時(shí) Td（開/關(guān)）值：

    25ns/215ns

  • 測(cè)試條件：

    400V，5A，100 歐姆，15V

  • 工作溫度：

    -55°C ~ 175°C（TJ）

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-220-3 整包

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    TO-220AB 整包

  • 描述：

    IGBT 600V 11A 38W TO220FP

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫存備注價(jià)格
IR
24+
TO-220-3
225
詢價(jià)
IR
17+
TO220
6200
100%原裝正品現(xiàn)貨
 詢價(jià)
IR
23+
TO-220FULLPAK
7750
全新原裝優(yōu)勢(shì)
 詢價(jià)
IR
2016+
TO-220F
6528
房間原裝進(jìn)口現(xiàn)貨假一賠十
 詢價(jià)
IR
23+
TO220
50000
全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨
 詢價(jià)
IR
21+
TO220
30000
百域芯優(yōu)勢(shì) 實(shí)單必成 可開13點(diǎn)增值稅
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TO-220
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1923+
TO220
5000
正品原裝品質(zhì)假一賠十
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Infineon
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NA
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IR
23+
TO220
50000
全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨
 詢價(jià)
更多IRGIB6B60KD116P供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-6-11 16:30:00

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