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IRG8P50N120KDPBF 分立半導體產(chǎn)品晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 INFINEON/英飛凌

IRG8P50N120KDPBF參考圖片

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原廠料號：IRG8P50N120KDPBF品牌：Infineon

進口原裝正品優(yōu)勢供應

IRG8P50N120KDPBF是分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單。制造商Infineon/Infineon Technologies生產(chǎn)封裝NA/TO-247-3的IRG8P50N120KDPBF晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT（絕緣柵雙極晶體管）是一種具有三個端子的多層半導體器件，能夠處理大電流，具有快速開關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關(guān)能量和柵極電荷。

  • 芯片型號：

    IRG8P50N120KDPBF

  • 規(guī)格書：

    下載 下載2

  • 企業(yè)簡稱：

    IRF詳情

  • 廠商全稱：

    International Rectifier

  • 內(nèi)容頁數(shù)：

    11 頁

  • 文件大小：

    600.69 kb

  • 資料說明：

    Insulated Gate Bipolar Transistor with Ultrafast Soft Recovery Diode

產(chǎn)品屬性

更多
  • 類型

    描述

  • 產(chǎn)品編號：

    IRG8P50N120KDPBF

  • 制造商：

    Infineon Technologies

  • 類別：

    分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝：

    管件

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)（最大值）：

    2V @ 15V，35A

  • 開關(guān)能量：

    2.3mJ（開），1.9mJ（關(guān)）

  • 輸入類型：

    標準

  • 25°C 時 Td（開/關(guān)）值：

    35ns/190ns

  • 測試條件：

    600V，35A，5 歐姆，15V

  • 工作溫度：

    -40°C ~ 150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-247-3

  • 供應商器件封裝：

    TO-247AC

  • 描述：

    IGBT 1200V 80A 305W TO-247AC

供應商

  • 企業(yè)：

    深圳市達恩科技有限公司

  • 商鋪：

    進入商鋪

  • 聯(lián)系人：

    劉小姐

  • 手機：

    13510619928

  • 詢價：
  • 電話：

    0755-23917962

  • 地址：

    深圳市福田區(qū)華強北新亞洲國利大廈1515

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