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IRG7PH35UPBF分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料

IRG7PH35UPBF
廠商型號

IRG7PH35UPBF

參數(shù)屬性

IRG7PH35UPBF 封裝/外殼為TO-247-3;包裝為管件;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單;產(chǎn)品描述:IGBT 1200V 55A 210W TO247AC

功能描述

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR

封裝外殼

TO-247-3

文件大小

379.97 Kbytes

頁面數(shù)量

10

生產(chǎn)廠商 International Rectifier
企業(yè)簡稱

IRF

中文名稱

International Rectifier官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-3-15 23:00:00

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IRG7PH35UPBF規(guī)格書詳情

Features

? Low VCE (ON) trench IGBT technology

? Low switching losses

? Maximum junction temperature 175 °C

? Square RBSOA

? 100 of the parts tested for ILM

? Positive VCE (ON) temperature co-efficient

? Tight parameter distribution

? Lead -Free

Benefits

? High efficiency in a wide range of applications

? Suitable for a wide range of switching frequencies due to

low VCE (ON) and low switching losses

? Rugged transient performance for increased reliability

? Excellent current sharing in parallel operation

Applications

? U.P.S

? Welding

? Solar inverter

? Induction heating

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    IRG7PH35UPBF

  • 制造商:

    Infineon Technologies

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝:

    管件

  • IGBT 類型:

    溝道

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)(最大值):

    2.2V @ 15V,20A

  • 開關(guān)能量:

    1.06mJ(開),620μJ(關(guān))

  • 輸入類型:

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時 Td(開/關(guān))值:

    30ns/160ns

  • 測試條件:

    600V,20A,10 歐姆,15V

  • 工作溫度:

    -55°C ~ 175°C(TJ)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-247-3

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    TO-247AC

  • 描述:

    IGBT 1200V 55A 210W TO247AC

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
IR(國際整流器)
23+
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990000
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