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IRG4PH50U分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書(shū)PDF中文資料

IRG4PH50U
廠商型號(hào)

IRG4PH50U
參數(shù)屬性

IRG4PH50U 封裝/外殼為T(mén)O-247-3；包裝為卷帶（TR）；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單；產(chǎn)品描述：IGBT 1200V 45A 200W TO247AC
功能描述

Ultra Fast Speed IGBT
封裝外殼

TO-247-3
文件大小

358.91 Kbytes
頁(yè)面數(shù)量

3 頁(yè)
生產(chǎn)廠商 Inchange Semiconductor Company Limited
企業(yè)簡(jiǎn)稱

ISC【無(wú)錫固電】

中文名稱

無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司官網(wǎng)
原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-2-27 19:26:00
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IRG4PH50U規(guī)格書(shū)詳情

FEATURES

·Ultrafast Optimizes for high operating frequencies

·High Current Capability

·High Input Impedance

·Fast Switching

APPLICATIONS

·Highest efficiency available

·Optimaized for power conversion;UPS,SMPS and welding

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    IRG4PH50UPBF

  • 制造商：

    Infineon Technologies

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝：

    卷帶（TR）

  • 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)（最大值）：

    3.7V @ 15V，24A

  • 開(kāi)關(guān)能量：

    530μJ（開(kāi)），1.41mJ（關(guān)）

  • 輸入類型：

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時(shí) Td（開(kāi)/關(guān)）值：

    35ns/200ns

  • 測(cè)試條件：

    960V，24A，5 歐姆，15V

  • 工作溫度：

    -55°C ~ 150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-247-3

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    TO-247AC

  • 描述：

    IGBT 1200V 45A 200W TO247AC

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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