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IRG4PC40分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書(shū)PDF中文資料

IRG4PC40
廠商型號(hào)

IRG4PC40
參數(shù)屬性

IRG4PC40 封裝/外殼為T(mén)O-247-3；包裝為卷帶（TR）；類(lèi)別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單；產(chǎn)品描述：IGBT 600V 49A 160W TO247AC
功能描述

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=2.05V, @Vge=15V, Ic=20A)
封裝外殼

TO-247-3
文件大小

116.25 Kbytes
頁(yè)面數(shù)量

8 頁(yè)
生產(chǎn)廠商 International Rectifier
企業(yè)簡(jiǎn)稱(chēng)

IRF

中文名稱(chēng)

International Rectifier官網(wǎng)
原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-2-28 22:58:00
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IRG4PC40規(guī)格書(shū)詳情

Benefits

? Lower switching losses allow more cost-effective

operation than power MOSFETs up to 150 kHz

(hard switched mode)

? Of particular benefit to single-ended converters and

boost PFC topologies 150W and higher

? Low conduction losses and minimal minority-carrier

recombination make these an excellent option for

resonant mode switching as well (up to >>300 kHz)

Features

? Designed expressly for Switch-Mode Power

Supply and PFC (power factor correction)

applications

? Industry-benchmark switching losses improve

efficiency of all power supply topologies

? 50 reduction of Eoff parameter

? Low IGBT conduction losses

? Latest-generation IGBT design and construction offers

tighter parameters distribution, exceptional reliability

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    IRG4PC40FD

  • 制造商：

    Infineon Technologies

  • 類(lèi)別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝：

    卷帶（TR）

  • 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)（最大值）：

    1.7V @ 15V，27A

  • 開(kāi)關(guān)能量：

    950μJ（開(kāi)），2.01mJ（關(guān)）

  • 輸入類(lèi)型：

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時(shí) Td（開(kāi)/關(guān)）值：

    63ns/230ns

  • 測(cè)試條件：

    480V，27A，10 歐姆，15V

  • 工作溫度：

    -55°C ~ 150°C（TJ）

  • 安裝類(lèi)型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-247-3

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    TO-247AC

  • 描述：

    IGBT 600V 49A 160W TO247AC

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
IR
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TO-247
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