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IRG4BC10SD-LPBF

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE

IRF

International Rectifier

IRG4BC10SD-LPBF

Package：TO-262-3，長引線，I2Pak，TO-262AA；包裝：管件 類別：分立半導體產(chǎn)品 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 描述：IGBT 600V 14A 38W TO262

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

IRG4BC10K

ShortCircuitRatedUltraFastIGBT

ShortCircuitRatedUltraFastIGBT Features ?ShortCircuitRatedUltraFast:Optimizedforhighoperatingfrequencies>5.0kHz,andShortCircuitRatedto10μs@125°C,VGE=15V ?Generation4IGBTdesignprovideshigherefficiencythanGeneration3 ?IndustrystandardTO-220ABpackage Bene

IRF

International Rectifier

IRG4BC10KD

INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODE(Vces=600V,Vce(on)typ.2.39V,@Vge=15V,Ic=5.0A)

ShortCircuitRatedUltraFastIGBT Features ?Highshortcircuitratingoptimizedformotorcontrol,tsc=10μs,@360VVCE(start),TJ=125°C,VGE=15V ?Combineslowconductionlosseswithhighswitchingspeed ?Tighterparameterdistributionandhigherefficiencythanpreviousgenerations

IRF

International Rectifier

IRG4BC10KDPBF

INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODE

ShortCircuitRatedUltraFastIGBT Features ?Highshortcircuitratingoptimizedformotorcontrol,tsc=10μs,@360VVCE(start),TJ=125°C,VGE=15V ?Combineslowconductionlosseswithhighswitchingspeed ?Tighterparameterdistributionandhigherefficiencythanpreviousgenerations

IRF

International Rectifier

IRG4BC10KDPBF

Highshortcircuitratingoptimizedformotorcontrol

IRF

International Rectifier

IRG4BC10KDPBF

INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODE

Features ?Highshortcircuitratingoptimizedformotorcontrol, tsc=10μs,@360VVCE(start),TJ=125°C, VGE=15V ?Combineslowconductionlosseswithhigh switchingspeed ?Tighterparameterdistributionandhigherefficiency thanpreviousgenerations ?IGBTco-packagedw

IRF

International Rectifier

IRG4BC10KPBF

INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODE

Features ?Highshortcircuitratingoptimizedformotorcontrol, tsc=10μs,@360VVCE(start),TJ=125°C, VGE=15V ?Combineslowconductionlosseswithhigh switchingspeed ?Tighterparameterdistributionandhigherefficiency thanpreviousgenerations ?IGBTco-packagedw

IRF

International Rectifier

IRG4BC10S

INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORStandardSpeedIGBT(Vces=600V,Vce(on)typ.1.10V,@Vge=15V,Ic=2.0A)

Features ?Extremelylowvoltagedrop;1.1Vtypicalat2A ?S-Speed:Minimizespowerdissipationatupto3KHzPWMfrequencyininverterdrives,upto4KHzinbrushlessDCdrives,upto2KHzinChopperApplications ?VeryTightVce(on)distribution ?IndustrystandardTO-220ABpackage Benef

IRF

International Rectifier

IRG4BC10SD

INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODE

StandardSpeedCoPackIGBT Features ?Extremelylowvoltagedrop1.1Vtyp.@2A ?S-Series:Minimizespowerdissipationatupto3KHzPWMfrequencyininverterdrives,upto4KHzinbrushlessDCdrives. ?VeryTightVce(on)distribution ?IGBTco-packagedwithHEXFREDTMultrafast,ultra-so

IRF

International Rectifier

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    IRG4BC10SD-LPBF

  • 制造商：

    Infineon Technologies

  • 類別：

    分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝：

    管件

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)（最大值）：

    1.8V @ 15V，8A

  • 開關能量：

    310μJ（開），3.28mJ（關）

  • 輸入類型：

    標準

  • 25°C 時 Td（開/關）值：

    76ns/815ns

  • 測試條件：

    480V，8A，100 歐姆，15V

  • 工作溫度：

    -55°C ~ 150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-262-3，長引線，I2Pak，TO-262AA

  • 供應商器件封裝：

    TO-262

  • 描述：

    IGBT 600V 14A 38W TO262

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
IR
24+
TO-262
6000
只做原廠渠道 可追溯貨源
 詢價
IR
24+
TO-262-3
245
詢價
IR
2016+
TO-262
6528
房間原裝進口現(xiàn)貨假一賠十
 詢價
IR
23+
TO-262
7750
全新原裝優(yōu)勢
 詢價
IRF
23+
NA
19960
只做進口原裝,終端工廠免費送樣
 詢價
International Rectifier
2022+
1
全新原裝 貨期兩周
 詢價
IR
10+PBF
TO-262
6000
現(xiàn)貨
 詢價
INFINEON
1503+
TO-262
3000
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22+
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IR
23+
TO-262
50000
全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨
 詢價
更多IRG4BC10SD-LPBF供應商 更新時間2025-2-27 16:36:00

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