首頁>IRG4BC10S>規(guī)格書詳情

IRG4BC10S分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料

IRG4BC10S
廠商型號

IRG4BC10S

參數(shù)屬性

IRG4BC10S 封裝/外殼為TO-220-3;包裝為管件;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單;產(chǎn)品描述:IGBT 600V 14A 38W TO220AB

功能描述

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR Standard Speed IGBT(Vces=600V, Vce(on)typ.1.10V, @Vge=15V, Ic=2.0A)

封裝外殼

TO-220-3

文件大小

157.04 Kbytes

頁面數(shù)量

8

生產(chǎn)廠商 International Rectifier
企業(yè)簡稱

IRF

中文名稱

International Rectifier官網(wǎng)

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時間

2025-2-27 17:36:00

人工找貨

IRG4BC10S價格和庫存,歡迎聯(lián)系客服免費人工找貨

IRG4BC10S規(guī)格書詳情

Features

? Extremely low voltage drop; 1.1V typical at 2A

? S-Speed: Minimizes power dissipation at up to 3 KHz PWM frequency in inverter drives, up to 4 KHz in brushless DC drives, up to 2KHz in Chopper Applications

? Very Tight Vce(on) distribution

? Industry standard TO-220AB package

Benefits

? Generation 4 IGBTs offer highest efficiency available

? IGBTs optimized for specified application conditions

? Lower conduction losses than many Power MOSFETs

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    IRG4BC10S

  • 制造商:

    Infineon Technologies

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝:

    管件

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)(最大值):

    1.8V @ 15V,8A

  • 開關(guān)能量:

    140μJ(開),2.58mJ(關(guān))

  • 輸入類型:

    標準

  • 25°C 時 Td(開/關(guān))值:

    25ns/630ns

  • 測試條件:

    480V,8A,100 歐姆,15V

  • 工作溫度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-220-3

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    TO-220AB

  • 描述:

    IGBT 600V 14A 38W TO220AB

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
Infineon Technologies
21+
TO220AB
13880
公司只售原裝,支持實單
詢價
IR
10+
TO-220
4200
詢價
IR
20+
TO-220
38560
原裝優(yōu)勢主營型號-可開原型號增稅票
詢價
IR
22+
NA
68932
全新原裝正品現(xiàn)貨
詢價
IR
24+
TO 220
161515
明嘉萊只做原裝正品現(xiàn)貨
詢價
IR
23+
TO-220AB
7750
全新原裝優(yōu)勢
詢價
ir
23+
NA
406
專做原裝正品,假一罰百!
詢價
IR
21+
TO-263
30490
原裝現(xiàn)貨庫存
詢價
Infineon Technologies
23+
TO220AB
9000
原裝正品,支持實單
詢價
IR
22+23+
TO-220
28953
絕對原裝正品全新進口深圳現(xiàn)貨
詢價