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IRG4BC10KPBF分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書(shū)PDF中文資料

IRG4BC10KPBF
廠商型號(hào)

IRG4BC10KPBF

參數(shù)屬性

IRG4BC10KPBF 封裝/外殼為TO-220-3;包裝為管件;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單;產(chǎn)品描述:IGBT 600V 9A 38W TO220AB

功能描述

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE

封裝外殼

TO-220-3

文件大小

274.8 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

11 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 International Rectifier
企業(yè)簡(jiǎn)稱

IRF

中文名稱

International Rectifier官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-2-27 17:36:00

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IRG4BC10KPBF規(guī)格書(shū)詳情

Features

? High short circuit rating optimized for motor control,

tsc =10μs, @360V VCE (start), TJ = 125°C,

VGE = 15V

? Combines low conduction losses with high

switching speed

? Tighter parameter distribution and higher efficiency

than previous generations

? IGBT co-packaged with HEXFREDTM ultrafast,

ultrasoft recovery antiparallel diodes

? Lead-Free

Benefits

? Latest generation 4 IGBTs offer highest power density

motor controls possible

? HEXFREDTM diodes optimized for performance with IGBTs.

Minimized recovery characteristics reduce noise, EMI and

switching losses

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào):

    IRG4BC10KPBF

  • 制造商:

    Infineon Technologies

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝:

    管件

  • 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)(最大值):

    2.62V @ 15V,5A

  • 開(kāi)關(guān)能量:

    160μJ(開(kāi)),100μJ(關(guān))

  • 輸入類型:

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時(shí) Td(開(kāi)/關(guān))值:

    11ns/51ns

  • 測(cè)試條件:

    480V,5A,100 歐姆,15V

  • 工作溫度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-220-3

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    TO-220AB

  • 描述:

    IGBT 600V 9A 38W TO220AB

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
Infineon Technologies
21+
TO220AB
13880
公司只售原裝,支持實(shí)單
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TO-220
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TO-220AB
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全新原裝優(yōu)勢(shì)
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Infineon Technologies
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原裝正品,支持實(shí)單
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