IRG4BAC50W-S_分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管-UGBT、MOSFET-單-英飛凌

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原廠料號:IRG4BAC50W-S品牌:Infineon Technologies

資料說明:IGBT 600V 55A 200W SUPER 220

IRG4BAC50W-S是分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單。制造商INFINEON/英飛凌生產(chǎn)封裝TO-273AA的IRG4BAC50W-S晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是一種具有三個端子的多層半導(dǎo)體器件,能夠處理大電流,具有快速開關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關(guān)能量和柵極電荷。

  • 芯片型號:

    irg4bac50w-s

  • 規(guī)格書:

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  • 企業(yè)簡稱:

    INFINEON【英飛凌】詳情

  • 廠商全稱:

    Infineon Technologies AG

  • 中文名稱:

    英飛凌科技股份公司

  • 資料說明:

    IGBT 600V 55A 200W SUPER 220

產(chǎn)品屬性

  • 類型

    描述

  • 產(chǎn)品編號:

    IRG4BAC50W-S

  • 制造商:

    Infineon Technologies

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝:

    管件

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)(最大值):

    2.3V @ 15V,27A

  • 開關(guān)能量:

    80μJ(開),320μJ(關(guān))

  • 輸入類型:

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時 Td(開/關(guān))值:

    46ns/120ns

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-273AA

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    SUPER-220?(TO-273AA)

  • 描述:

    IGBT 600V 55A 200W SUPER 220

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