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IRFY130M	文件：167.51 Kbytes Page：7 Pages	Simple Drive Requirements Ease of Paralleling Hermetically Sealed HEXFET?MOSFETtechnologyisthekeytoInternationalRectifier’sadvancedlineofpowerMOSFETtransistors.Theefficientgeometrydesignachievesverylowon-stateresistancecombinedwithhightransconductance. Features: ■SimpleDriveRequirements ■EaseofParalleling ■Hermetically	IRF International Rectifier	IRF
IRFY130M	文件：15.61 Kbytes Page：1 Pages	N-Channel MOSFET in a Hermetically sealed	SEME-LAB Seme LAB	SEME-LAB
IRKT130	文件：1.46026 Mbytes Page：5 Pages	POWERMODULE	IRI Information Resources, Inc. IRI	IRI
IRLR130A	文件：268.3 Kbytes Page：9 Pages	AdvancedPowerMOSFET BVDSS=100V RDS(on)=0.12? ID=13A FEATURES ?AvalancheRuggedTechnology ?RuggedGateOxideTechnology ?LowerInputCapacitance ?ImprovedGateCharge ?ExtendedSafeOperatingArea ?LowerLeakageCurrent:10μA(Max.)@VDS=100V ?LowerRDS(ON):0.101?(Typ.)	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
IRLR130A	文件：320.76 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IRLRU130A	文件：267.22 Kbytes Page：9 Pages	AdvancedPowerMOSFET	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
IRLU130A	文件：268.3 Kbytes Page：9 Pages	AdvancedPowerMOSFET BVDSS=100V RDS(on)=0.12? ID=13A FEATURES ?AvalancheRuggedTechnology ?RuggedGateOxideTechnology ?LowerInputCapacitance ?ImprovedGateCharge ?ExtendedSafeOperatingArea ?LowerLeakageCurrent:10μA(Max.)@VDS=100V ?LowerRDS(ON):0.101?(Typ.)	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
IRLU130A	文件：344.92 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IS130	文件：351.16 Kbytes Page：1 Pages	GENERALPURPOSEDIODES	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新澤西半導(dǎo)體新澤西半導(dǎo)體產(chǎn)品股份有限公司	NJSEMI
IS130	文件：351.16 Kbytes Page：1 Pages	GeneralPurposeDiodes	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新澤西半導(dǎo)體新澤西半導(dǎo)體產(chǎn)品股份有限公司	NJSEMI
IS130	文件：351.16 Kbytes Page：1 Pages	GeneralPurposeDiodes	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新澤西半導(dǎo)體新澤西半導(dǎo)體產(chǎn)品股份有限公司	NJSEMI
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詳細(xì)參數(shù)

型號(hào)：
IRFY130M
制造商：
International Rectifier
功能描述：
HEXFET, HI-REL - Bulk

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫存	備注	價(jià)格
深圳市河鋒鑫科技有限公司	IRFY130M	IR	22+		6000	終端可免費(fèi)供樣,支持BOM配單	詢價(jià)
深圳市安富世紀(jì)電子有限公司	IRFY130M	IR	23+		8000	只做原裝現(xiàn)貨	詢價(jià)
天津市博通航睿技術(shù)有限公司	IRFY130M	IR	23+		7000		詢價(jià)
深圳市博浩通科技有限公司	IRFY140	IR	23+		8890	價(jià)格優(yōu)勢(shì)/原裝現(xiàn)貨/客戶至上/歡迎廣大客戶來電查詢	詢價(jià)
深圳市卓越微芯電子有限公司	IRFY140	IR	2020+	TO	428	百分百原裝正品真實(shí)公司現(xiàn)貨庫存本公司只做原裝可	詢價(jià)
深圳市華來深電子有限公司	IRFY140	SML	23+	TO	8650	受權(quán)代理!全新原裝現(xiàn)貨特價(jià)熱賣!	詢價(jià)
深圳市華斯頓科技有限公司	IRFY140	IR	22+23+	BGA	22168	絕對(duì)原裝正品全新進(jìn)口深圳現(xiàn)貨	詢價(jià)
深圳誠思涵科技有限公司	IRFY140	IR	17+	TO-257A	60000	保證原裝進(jìn)口現(xiàn)貨可開17%增值稅發(fā)票	詢價(jià)
深圳市達(dá)恩科技有限公司	IRFY140	IR	18	TO-254	200	進(jìn)口原裝正品優(yōu)勢(shì)供應(yīng)	詢價(jià)
深圳市昊創(chuàng)電子有限公司	IRFY140	IR	專業(yè)軍工	NA	1000	只做原裝正品軍工級(jí)部分訂貨	詢價(jià)

更多IRFY130M供應(yīng)商更新時(shí)間2025-1-8 10:00:00

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