IRFU9N20D中文資料IRF數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書
IRFU9N20D規(guī)格書詳情
SMPS MOSFET
Benefits
? Low Gate-to-Drain Charge to Reduce Switching Losses
? Fully Characterized Capacitance Including Effective COSS to Simplify Design, (See App. Note AN1001)
? Fully Characterized Avalanche Voltage and Current
Applications
? High frequency DC-DC converters
產(chǎn)品屬性
- 型號(hào)：
IRFU9N20D
- 功能描述：
MOSFET N-CH 200V 9.4A I-PAK
- RoHS：
否
- 類別：
分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單
- 系列：
HEXFET®
- 標(biāo)準(zhǔn)包裝：
1,000
- 系列：
MESH OVERLAY™ FET
- 型：
MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET
- 特點(diǎn)：
邏輯電平門
- 漏極至源極電壓(Vdss)：
200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°
- C：
18A 開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
- C：
180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的
- Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @
- Vgs：
72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @
- Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
- 最大：
40W
- 安裝類型：
通孔
- 封裝/外殼：
TO-220-3 整包
- 供應(yīng)商設(shè)備封裝：
TO-220FP
- 包裝：
管件
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IR |
13+ |
TO-251 |
748 |
詢價(jià) | |||
IR |
22+23+ |
TO251 |
73093 |
絕對(duì)原裝正品現(xiàn)貨,全新深圳原裝進(jìn)口現(xiàn)貨 |
詢價(jià) | ||
IR |
24+ |
TO-251 |
811 |
詢價(jià) | |||
IR |
24+ |
I-PAK |
16800 |
絕對(duì)原裝進(jìn)口現(xiàn)貨,假一賠十,價(jià)格優(yōu)勢(shì)!? |
詢價(jià) | ||
ir |
2023+ |
原廠封裝 |
50000 |
原裝現(xiàn)貨 |
詢價(jià) | ||
Infineon Technologies |
23+ |
原裝 |
8000 |
只做原裝現(xiàn)貨 |
詢價(jià) | ||
IR/VISHAY |
22+ |
I-PAK |
25000 |
只做原裝進(jìn)口現(xiàn)貨,專注配單 |
詢價(jià) | ||
Infineon Technologies |
2022+ |
TO-251-3 短引線,IPak,TO-251A |
38550 |
全新原裝 支持表配單 中國(guó)著名電子元器件獨(dú)立分銷 |
詢價(jià) | ||
IR |
2021+ |
TO-251 |
100500 |
一級(jí)代理專營(yíng)品牌!原裝正品,優(yōu)勢(shì)現(xiàn)貨,長(zhǎng)期排單到貨 |
詢價(jià) | ||
Infineon Technologies |
23+ |
原裝 |
7000 |
詢價(jià) |
