IRFU4105Z中文資料IRF數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書
IRFU4105Z規(guī)格書詳情
AUTOMOTIVE MOSFET
Description
Specifically designed for Automotive applications, this HEXFET? Power MOSFET utilizes the latest processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. Additional features of this design are a 175°C junction operating temperature, fast switching speed and improved repetitive avalanche rating . These features combine to make this design an extremely efficient and reliable device for use in Automotive applications and a wide variety of other applications.
Features
● Advanced Process Technology
● Ultra Low On-Resistance
● 175°C Operating Temperature
● Fast Switching
● Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax
產(chǎn)品屬性
- 型號：
IRFU4105Z
- 功能描述：
MOSFET N-CH 55V 30A I-PAK
- RoHS：
否
- 類別：
分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單
- 系列：
HEXFET®
- 標(biāo)準(zhǔn)包裝：
1,000
- 系列：
MESH OVERLAY™ FET
- 型：
MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET
- 特點：
邏輯電平門
- 漏極至源極電壓(Vdss)：
200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°
- C：
18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
- C：
180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的
- Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @
- Vgs：
72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @
- Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
- 最大：
40W
- 安裝類型：
通孔
- 封裝/外殼：
TO-220-3 整包
- 供應(yīng)商設(shè)備封裝：
TO-220FP
- 包裝：
管件
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Infineon/英飛凌 |
21+ |
TO-252-2(DPAK) |
6000 |
原裝現(xiàn)貨正品 |
詢價 | ||
Infineon Technologies |
24+ |
原裝 |
5000 |
原裝正品,提供BOM配單服務(wù) |
詢價 | ||
Infineon/英飛凌 |
2023+ |
TO-252-2(DPAK) |
6000 |
原裝正品現(xiàn)貨、支持第三方檢驗、終端BOM表可配單提供 |
詢價 | ||
IR |
24+ |
TO-251 |
1200 |
原裝現(xiàn)貨假一賠十 |
詢價 | ||
InternationRectifer |
22+ |
NA |
30000 |
100%全新原裝 假一賠十 |
詢價 | ||
Infineon/英飛凌 |
23+ |
TO-252-2(DPAK) |
25000 |
原裝正品,假一賠十! |
詢價 | ||
Infineon/英飛凌 |
2023+ |
TO-252-2(DPAK) |
6000 |
全新原裝深圳倉庫現(xiàn)貨有單必成 |
詢價 | ||
Infineon/英飛凌 |
21+ |
TO-252-2(DPAK) |
10000 |
原裝,品質(zhì)保證,請來電咨詢 |
詢價 | ||
Infineon(英飛凌) |
2112+ |
TO-252-2(DPAK) |
105000 |
75個/袋一級代理專營品牌!原裝正品,優(yōu)勢現(xiàn)貨,長期 |
詢價 | ||
Infineon Technologies |
23+ |
原裝 |
8000 |
只做原裝現(xiàn)貨 |
詢價 |
