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IRFU3910

Ultra Low On-Resistance

Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachievethelowestpossibleon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,p

KERSEMI

Kersemi Electronic Co., Ltd.

IRFU3910

isc N-Channel MOSFET Transistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

IRFU3910

Power MOSFET(Vdss=100V, Rds=0.115ohm, Id=16A)

IRF

International Rectifier

IRFU3910PBF

HEXFET Power MOSFET

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IRF

International Rectifier

IRFU3910PBF

Ultra Low On-Resistance

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KERSEMI

Kersemi Electronic Co., Ltd.

IRFU3910PBF

N-Channel 100 V (D-S) MOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導體微碧半導體（臺灣）有限公司

IRFU3910PBF

Ultra Low On-Resistance

IRF

International Rectifier

JCS3910

N-CHANNELMOSFET

JSMCJILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD.

華微電子吉林華微電子股份有限公司

JCS3910R-O-R-N-A

N-CHANNELMOSFET

JSMCJILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD.

華微電子吉林華微電子股份有限公司

JCS3910R-O-R-N-B

N-CHANNELMOSFET

JSMCJILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD.

華微電子吉林華微電子股份有限公司

詳細參數(shù)

  • 型號：

    IRFU3910

  • 功能描述：

    MOSFET N-CH 100V 16A I-PAK

  • RoHS：

    否

  • 類別：

    分離式半導體產品 >> FET - 單

  • 系列：

    HEXFET®

  • 標準包裝：

    1,000

  • 系列：

    MESH OVERLAY™ FET

  • 型：

    MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET

  • 特點：

    邏輯電平門

  • 漏極至源極電壓(Vdss)：

    200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°

  • C：

    18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°

  • C：

    180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的

  • Vgs(th)（最大）：

    4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @

  • Vgs：

    72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @

  • Vds：

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大：

    40W

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-220-3 整包

  • 供應商設備封裝：

    TO-220FP

  • 包裝：

    管件

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
IR/VISHAY
TO-251
30216
提供BOM表配單TEL:0755-83759919QQ:2355705587杜S
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更多IRFU3910供應商 更新時間2025-3-11 14:00:00

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