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IRFS4620PBF中文資料IRF數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

IRFS4620PBF
廠商型號(hào)

IRFS4620PBF

功能描述

HEXFET Power MOSFET

文件大小

365.32 Kbytes

頁面數(shù)量

10

生產(chǎn)廠商 International Rectifier
企業(yè)簡稱

IRF

中文名稱

International Rectifier官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-1-9 14:25:00

IRFS4620PBF規(guī)格書詳情

Benefits

● Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dt Ruggedness

● Fully Characterized Capacitance and Avalanche SOA

● Enhanced body diode dV/dt and dI/dt Capability

● Lead-Free

Applications

● High Efficiency Synchronous Rectification in SMPS

● Uninterruptible Power Supply

● High Speed Power Switching

● Hard Switched and High Frequency Circuits

產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào):

    IRFS4620PBF

  • 功能描述:

    MOSFET 200V 1 N-CH HEXFET 78mOhms 25nC

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導(dǎo)通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風(fēng)格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

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