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IRFRSLASHU3303PBF中文資料KERSEMI數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

IRFRSLASHU3303PBF
廠商型號(hào)

IRFRSLASHU3303PBF

功能描述

HEXFET Power MOSFET

文件大小

3.84104 Mbytes

頁(yè)面數(shù)量

10 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 Kersemi Electronic Co., Ltd.
企業(yè)簡(jiǎn)稱

KERSEMI

中文名稱

Kersemi Electronic Co., Ltd.官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

下載地址一下載地址二

更新時(shí)間

2025-2-10 14:39:00

IRFRSLASHU3303PBF規(guī)格書詳情

Description

Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET Power MOSFETs are well known for, provides the designer with an extremely efficient and reliable device for use in a wide variety of applications.

● Ultra Low On-Resistance

● Surface Mount (IRFR3303)

● Straight Lead (IRFU3033)

● Advanced Process Technology

● Fast Switching

● Fully Avalanche Rated

● Lead-Free

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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