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IRFR9210中文資料IRF數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

IRFR9210
廠商型號(hào)

IRFR9210
功能描述

Power MOSFET(Vdss=-200V, Rds(on)=3.0ohm, Id=-1.9A)
文件大小

172.29 Kbytes
頁面數(shù)量

6 頁
生產(chǎn)廠商 International Rectifier
企業(yè)簡(jiǎn)稱

IRF

中文名稱

International Rectifier官網(wǎng)
原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-3-12 17:06:00
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IRFR9210規(guī)格書詳情

DESCRIPTION

The HEXFET technology is the key to International Rectifiers advanced line of Power MOSFET transistors. The efficient geometry and unique processing of the HEXFET design achieve very low on-state resistance combined with high transconductance and extreme device ruggedness.

The D-PAK is designed for surface mounting using vapor phase, infrared, or wave soldering techniques. The straight lead version (IRFU series) is for through-hole mounting applications. Power dissipation levels up to 1.5 W are possible in typical surface mount applications.

FEATURES

? Dynamic dV/dt Rating

? Repetitive Avalanche Rated

? Surface Mount (IRFR9210)

? Straight Lead (IRFU9210)

? Available in Tape and Reel

? P-Channel

? Fast Switching

產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào)：

    IRFR9210

  • 功能描述：

    MOSFET P-Chan 200V 1.9 Amp

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓：

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓：

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流：

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS（導(dǎo)通）：

    0.014 Ohms

  • 配置：

    Single

  • 安裝風(fēng)格：

    Through Hole

  • 封裝/箱體：

    Max247

  • 封裝：

    Tube

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
IR
23+
TO-252
35890
詢價(jià)
IR
10+
TO-252
29209
全新原帶環(huán)保
 詢價(jià)
IR
23+
TO252
28000
原裝正品
 詢價(jià)
Vishay(威世)
23+
NA
20094
正納10年以上分銷經(jīng)驗(yàn)原裝進(jìn)口正品做服務(wù)做口碑有支持
 詢價(jià)
IR
21+
TO-252
5587
原裝現(xiàn)貨庫(kù)存
 詢價(jià)
IR
2020+
TO252
350000
100%進(jìn)口原裝正品公司現(xiàn)貨庫(kù)存
 詢價(jià)
IR
22+23+
TO-252
34082
絕對(duì)原裝正品全新進(jìn)口深圳現(xiàn)貨
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IR
22+
TO-252
8000
原裝正品支持實(shí)單
 詢價(jià)
IR
24+
TO-252
501000
免費(fèi)送樣原盒原包現(xiàn)貨一手渠道聯(lián)系
 詢價(jià)

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