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IRFR5505

-60V P -Channel Enhancement Mode MOSFET

Description Theusesadvancedtrenchtechnology toprovideexcellentRDS(ON),lowgatechargeand operationwithgatevoltagesaslowas4.5V.This deviceissuitableforuseasa BatteryprotectionorinotherSwitchingapplication. GeneralFeatures VDS=-60VID=-10A RDS(ON)

EVVOSEMIEVER SEMICONDUCTOR CO.,LIMITED

翊歐翊歐半導(dǎo)體

IRFR5505

Power MOSFET(Vdss=-55V, Rds(on)=0.11ohm, Id=-18A)

IRF

International Rectifier

IRFR5505

Ultra Low On-Resistance

KERSEMI

Kersemi Electronic Co., Ltd.

IRFR5505GPBF

Ultra Low On-Resistance

VDSS=-55V RDS(on)=0.11? ID=-18A Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignth

IRF

International Rectifier

IRFR5505PBF

Ultra Low On-Resistance

Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,provide

IRF

International Rectifier

IRFR5505TR

Marking：IRFR5505；Package：TO-252；-60V P -Channel Enhancement Mode MOSFET

GeneralFeatures VDS=-60VID=-10A RDS(ON)

UMWGuangdong Youtai Semiconductor Co., Ltd.

友臺(tái)半導(dǎo)體廣東友臺(tái)半導(dǎo)體有限公司

IRFR5505TR

Marking：IRFR5505；Package：TO-252；-60V P -Channel Enhancement Mode MOSFET

Description Theusesadvancedtrenchtechnology toprovideexcellentRDS(ON),lowgatechargeand operationwithgatevoltagesaslowas4.5V.This deviceissuitableforuseasa BatteryprotectionorinotherSwitchingapplication. GeneralFeatures VDS=-60VID=-10A RDS(ON)

EVVOSEMIEVER SEMICONDUCTOR CO.,LIMITED

翊歐翊歐半導(dǎo)體

IRFR5505GTRPBF

ultra low on-resistance

IRF

International Rectifier

IRFR5505PBF

ULTRA LOW ON RESISTANCE

IRF

International Rectifier

IRFR5505PBF

ULTRA LOW ON-RESISTANCE

KERSEMI

Kersemi Electronic Co., Ltd.

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號(hào)：

    IRFR5505

  • 功能描述：

    MOSFET P-CH 55V 18A DPAK

  • RoHS：

    否

  • 類別：

    分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單

  • 系列：

    HEXFET®

  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝：

    1,000

  • 系列：

    MESH OVERLAY™ FET

  • 型：

    MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET

  • 特點(diǎn)：

    邏輯電平門

  • 漏極至源極電壓(Vdss)：

    200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°

  • C：

    18A 開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°

  • C：

    180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的

  • Vgs(th)（最大）：

    4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @

  • Vgs：

    72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @

  • Vds：

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大：

    40W

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-220-3 整包

  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝：

    TO-220FP

  • 包裝：

    管件

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
IR
22+
原廠封裝
15850
原裝正品，實(shí)單請(qǐng)聯(lián)系
 詢價(jià)
VISHAY/威世
24+
TO-252
501748
免費(fèi)送樣原盒原包現(xiàn)貨一手渠道聯(lián)系
 詢價(jià)
IR
2024+
N/A
70000
柒號(hào)只做原裝 現(xiàn)貨價(jià)秒殺全網(wǎng)
 詢價(jià)
IR
06+
TO-252
15000
原裝
 詢價(jià)
IR
23+
TO-252
35890
詢價(jià)
IR
24+
TO-252
57200
新進(jìn)庫(kù)存/原裝
 詢價(jià)
IR
24+
原廠封裝
3737
原裝現(xiàn)貨假一罰十
 詢價(jià)
IR
23+
D-Pak
8600
全新原裝現(xiàn)貨
 詢價(jià)
IR
2015+
D-Pak
12500
全新原裝,現(xiàn)貨庫(kù)存長(zhǎng)期供應(yīng)
 詢價(jià)
IRF
24+
TO-252
2560
絕對(duì)原裝!現(xiàn)貨熱賣!
 詢價(jià)
更多IRFR5505供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-3-12 14:54:00

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