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IRFR3910PBF

Ultra Low On-Resistance

Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachievethelowestpossibleon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,p

KERSEMI

Kersemi Electronic Co., Ltd.

IRFR3910PBF

HEXFET Power MOSFET

Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachievethelowestpossibleon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,p

IRF

International Rectifier

IRFR3910PBF

ULTRA LOW ON RESISTANCE

IRF

International Rectifier

IRFR3910PBF

Ultra Low On-Resistance

IRF

International Rectifier

IRFR3910PBF_15

ULTRA LOW ON RESISTANCE

IRF

International Rectifier

IRFR3910TR

UltraLowOn-Resistance

IRF

International Rectifier

IRFR3910TR

TheD-PAKisdesignedforsurfacemountingusingvaporphase,infrared,orwavesolderingtechniques.

Features VDS(V)=100V ID=16A(VGS=10V) RDS(ON)=115mW(VGS=10V)

UMWGuangdong Youtai Semiconductor Co., Ltd.

友臺(tái)半導(dǎo)體廣東友臺(tái)半導(dǎo)體有限公司

IRFR3910TR

MOSFET

Description TheD-PAKisdesignedforsurfacemounting usingvaporphase,infrared,orwavesolderingtechniques. Powerdissipationlevelsupto1.5watts arepossibleintypicalsurfacemountapplications. Features VDS(V)=100V ID=16A(VGS=10V) RDS(ON)=115mW(VGS=10V)

EVVOSEMIEVER SEMICONDUCTOR CO.,LIMITED

翊歐翊歐半導(dǎo)體

IRFR3910TRLPBF

UltraLowOn-Resistance

Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachievethelowestpossibleon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,p

IRF

International Rectifier

IRFR3910TRPBF

UltraLowOn-Resistance

Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachievethelowestpossibleon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,p

IRF

International Rectifier

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號(hào)：

    IRFR3910PBF

  • 功能描述：

    MOSFET 100V 1 N-CH HEXFET 115mOhms 29.3nC

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓：

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓：

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流：

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS（導(dǎo)通）：

    0.014 Ohms

  • 配置：

    Single

  • 安裝風(fēng)格：

    Through Hole

  • 封裝/箱體：

    Max247

  • 封裝：

    Tube

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
IR
24+
D-PAK
1900
只做原廠(chǎng)渠道 可追溯貨源
 詢(xún)價(jià)
IR
23+
TO-252
29600
一級(jí)分銷(xiāo)商!
 詢(xún)價(jià)
IR
2020+
TO-252
212
百分百原裝正品 真實(shí)公司現(xiàn)貨庫(kù)存 本公司只做原裝 可
 詢(xún)價(jià)
IR
17+
TO-252
6200
詢(xún)價(jià)
IR
23+
SOT-252
8890
價(jià)格優(yōu)勢(shì)/原裝現(xiàn)貨/客戶(hù)至上/歡迎廣大客戶(hù)來(lái)電查詢(xún)
 詢(xún)價(jià)
Infineon
24+
NA
3000
進(jìn)口原裝正品優(yōu)勢(shì)供應(yīng)
 詢(xún)價(jià)
IRF
23+
NA
19960
只做進(jìn)口原裝,終端工廠(chǎng)免費(fèi)送樣
 詢(xún)價(jià)
IR
24+
SOT-252
2789
原裝優(yōu)勢(shì)!絕對(duì)公司現(xiàn)貨!
 詢(xún)價(jià)
IR
23+
TO-252
11846
一級(jí)代理商現(xiàn)貨批發(fā),原裝正品,假一罰十
 詢(xún)價(jià)
21+
12588
原裝正品,自己庫(kù)存 假一罰十
 詢(xún)價(jià)
更多IRFR3910PBF供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-3-11 9:23:00

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