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IRFR2905ZTR	文件：4.07166 Mbytes Page：11 Pages	Advanced Process Technology	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
IRFU2905Z	文件：212.76 Kbytes Page：11 Pages	AUTOMOTIVEMOSFET VDSS=55V RDS(on)=14.5m? ID=42A Description SpecificallydesignedforAutomotiveapplications,thisHEXFET?PowerMOSFETutilizesthelatestprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Additionalfeaturesofthisdesignarea175°Cjunctionope	IRF International Rectifier	IRF
IRFU2905Z	文件：4.20454 Mbytes Page：11 Pages	AdvancedProcessTechnology	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
IRFU2905Z	文件：247.71 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IRFU2905ZPBF	文件：278.12 Kbytes Page：12 Pages	HEXFET?PowerMOSFET(VDSS=55V,RDS(on)=14.5m廓,ID=42A) VDSS=55V RDS(on)=14.5m? ID=42A Description SpecificallydesignedforAutomotiveapplications,thisHEXFET?PowerMOSFETutilizesthelatestprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Additionalfeaturesofthisdesignarea175°Cjunctionope	IRF International Rectifier	IRF
IRFU2905ZPBF	文件：4.26084 Mbytes Page：11 Pages	AUTOMOTIVEMOSFET	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
IRLR/U2905	文件：135.08 Kbytes Page：10 Pages	HEXFETPowerMOSFET Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachievethelowestpossibleon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,p	IRF International Rectifier	IRF
IRLR2905	文件：135.08 Kbytes Page：10 Pages	HEXFETPowerMOSFET Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachievethelowestpossibleon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,p	IRF International Rectifier	IRF
IRLR2905	文件：909.19 Kbytes Page：10 Pages	AdvancedProcessTechnology	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
IRLR2905	文件：334.81 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC

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詳細(xì)參數(shù)

型號(hào)：
IRFR2905ZTR
功能描述：
MOSFET N-CH 55V 42A DPAK
RoHS：
否
類(lèi)別：
分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單
系列：
HEXFET®
標(biāo)準(zhǔn)包裝：
1,000
系列：
MESH OVERLAY™ FET
型：
MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET
特點(diǎn)：
邏輯電平門(mén)
漏極至源極電壓(Vdss)：
200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°
C：
18A 開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的
Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @
Vgs：
72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @
Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
最大：
40W
安裝類(lèi)型：
通孔
封裝/外殼：
TO-220-3 整包
供應(yīng)商設(shè)備封裝：
TO-220FP
包裝：
管件

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫(kù)存	備注	價(jià)格
深圳市科恒偉業(yè)電子有限公司	IRFR2905ZTR	IR	2016+	TO-252	6528	房間原裝進(jìn)口現(xiàn)貨假一賠十	詢(xún)價(jià)
深圳市鵬和科技有限公司	IRFR2905ZTR	IR	24+	TO-252	5000	只做原裝公司現(xiàn)貨	詢(xún)價(jià)
深圳市華來(lái)深電子有限公司	IRFR2905ZTR	IR	23+	TO-252	11846	一級(jí)代理商現(xiàn)貨批發(fā),原裝正品,假一罰十	詢(xún)價(jià)
深圳市斌騰達(dá)科技有限公司	IRFR2905ZTR	Infineon Technologies	21+	D-Pak	2000	100%進(jìn)口原裝!長(zhǎng)期供應(yīng)!絕對(duì)優(yōu)勢(shì)價(jià)格(誠(chéng)信經(jīng)營(yíng))!	詢(xún)價(jià)
深圳市科雨電子有限公司	IRFR2905ZTR	INFINEON	1503+	TO-252	3000	就找我吧!--邀您體驗(yàn)愉快問(wèn)購(gòu)元件!	詢(xún)價(jià)
深圳市國(guó)宇半導(dǎo)體科技有限公司	IRFR2905ZTR	IR	23+	DPAK	10000	公司只做原裝正品	詢(xún)價(jià)
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深圳市河鋒鑫科技有限公司	IRFR2905ZTR	Infineon Technologies	22+	TO2523 DPak (2 Leads + Tab) SC	9000	原廠渠道,現(xiàn)貨配單	詢(xún)價(jià)
深圳市芯福林電子科技有限公司	IRFR2905ZTR	Infineon Technologies	21+	TO2523 DPak (2 Leads + Tab) SC	13880	公司只售原裝,支持實(shí)單	詢(xún)價(jià)
易創(chuàng)佳業(yè)科技（深圳）有限公司	IRFR2905ZTR	Infineon Technologies	23+	TO2523 DPak (2 Leads + Tab) SC	9000	原裝正品，支持實(shí)單	詢(xún)價(jià)

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