首頁>IRFR210TRPBF>規(guī)格書詳情

IRFR210TRPBF中文資料威世科技數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

IRFR210TRPBF
廠商型號(hào)

IRFR210TRPBF

功能描述

Power MOSFET

文件大小

2.39965 Mbytes

頁面數(shù)量

8

生產(chǎn)廠商 Vishay Siliconix
企業(yè)簡稱

Vishay威世科技

中文名稱

威世科技半導(dǎo)體官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時(shí)間

2025-2-12 15:22:00

IRFR210TRPBF規(guī)格書詳情

DESCRIPTION

Third generation Power MOSFETs from Vishay provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness.

The DPAK is designed for surface mounting using vapor phase, infrared, or wave soldering techniques. The straight lead version (IRFU/SiHFU series) is for through-hole mounting applications. Power dissipation levels up to 1.5 W are possible in typical surface mount applications.

FEATURES

? Dynamic dV/dt Rating

? Repetitive Avalanche Rated

? Surface Mount (IRFR210/SiHFR210)

? Straight Lead (IRFU210/SiHFU210)

? Available in Tape and Reel

? Fast Switching

? Ease of Paralleling

? Lead (Pb)-free Available

?

產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào):

    IRFR210TRPBF

  • 功能描述:

    MOSFET N-Chan 200V 2.6 Amp

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導(dǎo)通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風(fēng)格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
VISHAY
2020+
TO-252
8000
只做自己庫存,全新原裝進(jìn)口正品假一賠百,可開13%增
詢價(jià)
VISHAY
25+
SOT252
12500
原廠原裝,價(jià)格優(yōu)勢!13246658303
詢價(jià)
VISHAY
23+
TO-252
10080
原裝正品 支持實(shí)單
詢價(jià)
VISHAY/威世
TO-252
貨真價(jià)實(shí),假一罰十
25000
詢價(jià)
IR
24+
TO-252
500890
免費(fèi)送樣原盒原包現(xiàn)貨一手渠道聯(lián)系
詢價(jià)
VISHAY/威世
2022+
TO-252-3(DPAK)
45000
我司100%原裝正品現(xiàn)貨,現(xiàn)貨眾多歡迎加微信
詢價(jià)
VISHAY/威世
22+
TO252
8000
原裝正品支持實(shí)單
詢價(jià)
VISHAY/威世
21+
TO-252
10000
原裝現(xiàn)貨假一罰十
詢價(jià)
VISHAY
24+
DPAK
65300
一級(jí)代理/放心采購
詢價(jià)
IR
08+
D-PAK
20000
普通
詢價(jià)