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IRFR1205
廠商型號

IRFR1205

功能描述

Power MOSFET(Vdss=55V, Rds(on)=0.027ohm, Id=44A??

文件大小

144.52 Kbytes

頁面數(shù)量

10

生產(chǎn)廠商 International Rectifier
企業(yè)簡稱

IRF

中文名稱

International Rectifier官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊

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更新時(shí)間

2025-3-15 8:50:00

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IRFR1205規(guī)格書詳情

Description

Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve the lowest possible on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET Power MOSFETs are well known for, provides the designer with an extremely efficient device for use in a wide variety of applications.

? Ultra Low On-Resistance

? Surface Mount (IRFR1205)

? Straight Lead (IRFU1205)

? Fast Switching

? Fully Avalanche Rated

產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    IRFR1205

  • 功能描述:

    MOSFET N-CH 55V 44A DPAK

  • RoHS:

  • 類別:

    分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單

  • 系列:

    HEXFET®

  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝:

    1,000

  • 系列:

    MESH OVERLAY™ FET

  • 型:

    MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET

  • 特點(diǎn):

    邏輯電平門

  • 漏極至源極電壓(Vdss):

    200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°

  • C:

    18A 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25°

  • C:

    180 毫歐 @ 9A,10V Id 時(shí)的

  • Vgs(th)(最大):

    4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @

  • Vgs:

    72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @

  • Vds:

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大:

    40W

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-220-3 整包

  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝:

    TO-220FP

  • 包裝:

    管件

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價(jià)格
Infineon Technologies
23+
原裝
7000
詢價(jià)
INTERNATIONAL RECTIFIER
2023+
SMD
17165
安羅世紀(jì)電子只做原裝正品貨
詢價(jià)
IR
21+
TO-252
10000
原裝現(xiàn)貨假一罰十
詢價(jià)
INFINEON/英飛凌
23+
TO252-3
360000
交期準(zhǔn)時(shí)服務(wù)周到
詢價(jià)
IR
24+
TO252
2000
大批量供應(yīng)優(yōu)勢庫存熱賣
詢價(jià)
IR
24+
TO-252
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絕對原裝進(jìn)口現(xiàn)貨,假一賠十,價(jià)格優(yōu)勢!?
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TO-252
6200
100%原裝正品現(xiàn)貨
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18+
TO-252
85600
保證進(jìn)口原裝可開17%增值稅發(fā)票
詢價(jià)
IR
21+
TO252
1709
詢價(jià)
Infineon Technologies
2022+
TO-252-3,DPak(2 引線 + 接片
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