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IRFR1018EPBF中文資料IRF數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

IRFR1018EPBF
廠商型號

IRFR1018EPBF
功能描述

HEXFET TM Power MOSFET
文件大小

366.84 Kbytes
頁面數(shù)量

10 頁
生產廠商 International Rectifier
企業(yè)簡稱

IRF

中文名稱

International Rectifier官網
原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-3-26 22:30:00
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IRFR1018EPBF規(guī)格書詳情

Benefits

? Improved Gate, Avalanche and Dynamic dv/dt Ruggedness

? Fully Characterized Capacitance and Avalanche SOA

? Enhanced body diode dV/dt and dI/dt Capability

Applications

? High Efficiency Synchronous Rectification in SMPS

? Uninterruptible Power Supply

? High Speed Power Switching

? Hard Switched and High Frequency Circuits

產品屬性

  • 型號：

    IRFR1018EPBF

  • 功能描述：

    MOSFET 60V 1 N-CH HEXFET 8.4mOhms 46nC

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓：

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓：

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流：

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS（導通）：

    0.014 Ohms

  • 配置：

    Single

  • 安裝風格：

    Through Hole

  • 封裝/箱體：

    Max247

  • 封裝：

    Tube

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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