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IRFPG50

Power MOSFET(Vdss=1000V, Rds(on)=2.0ohm, Id=6.1A)

Description ThirdGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. ?DynamicdV/dtRating ?RepetitiveAvalancheRated ?IsolatedCentralMountingHole ?FastS

IRF

International Rectifier

IRFPG50

Power MOSFET

DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheTO-247ACpackageispreferredforcommercial-industrialapplicationswherehigherpowerlevelspreclude

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

IRFPG50

Power MOSFET

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

IRFPG50

Power MOSFET

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

IRFPG50PBF

HEXFET Power MOSFET

Description ThirdGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. ?DynamicdV/dtRating ?RepetitiveAvalancheRated ?IsolatedCentralMountingHole ?FastS

IRF

International Rectifier

IRFPG50PBF

Power MOSFET

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VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

IRFPG50_17

Power MOSFET

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

IRFPG50_V01

Power MOSFET

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

IRFPG50PBF

Power MOSFET

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號：

    IRFPG50

  • 功能描述：

    MOSFET N-Chan 1000V 6.1 Amp

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓：

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓：

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流：

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS（導(dǎo)通）：

    0.014 Ohms

  • 配置：

    Single

  • 安裝風(fēng)格：

    Through Hole

  • 封裝/箱體：

    Max247

  • 封裝：

    Tube

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
IR
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TO-3P
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全新原裝現(xiàn)貨
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更多IRFPG50供應(yīng)商 更新時間2024-10-23 16:38:00

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