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IRFN9140SMD	文件：23.62 Kbytes Page：2 Pages	P-CHANNEL POWER MOSFET	SEME-LAB Seme LAB	SEME-LAB
IRFP9140	文件：1.44912 Mbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheTO-247ACpackageispreferredforcommercial-industrialapplicationswherehigherpowerlevelspreclude	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導體	Vishay
IRFP9140	文件：59.73 Kbytes Page：7 Pages	19A,100V,0.200Ohm,P-ChannelPowerMOSFET ThisisanadvancedpowerMOSFETdesigned,tested,andguaranteedtowithstandaspecifiedlevelofenergyinthebreakdownavalanchemodeofoperation.ItisaP-Channelenhancementmodesilicongatepowerfieldeffecttransistordesignedforapplicationssuchasswitchingregulators,switchingc	Intersil Intersil Corporation	Intersil
IRFP9140	文件：508.31 Kbytes Page：12 Pages	P-CHANNELPOWERMOSFETS FEATURES ?LowRDS(on) ?Improvedinductiveruggedness ?Fsatswitchingtimes ?Ruggedpolysilicongatecellstructure ?Lowinputcapacitance ?Extendedsafeoperatingarea ?Improvedhightemperaturereliability	SamsungSamsung semiconductor 三星三星半導體	Samsung
IRFP9140	文件：381.33 Kbytes Page：6 Pages	P-CHANNELPOWERMOSFETS FEATURES ?LowRDS(on) ?Improvedinductiveruggedness ?Fastswitchingtimes ?Ruggedpolysilicongatecellstructure ?Lowinputcapacitance ?Extendedsafeoperatingarea ?Improvedhightemperaturereliablility	SamsungSamsung semiconductor 三星三星半導體	Samsung
IRFP9140	文件：273.24 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導體股份有限公司	ISC
IRFP9140	文件：757.38 Kbytes Page：11 Pages	PowerMOSFET FEATURES ?DynamicdV/dtrating ?Repetitiveavalancherated ?P-channel ?Isolatedcentralmountinghole ?175°Coperatingtemperature ?Fastswitching ?Easeofparalleling ?Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 Note *Thisdatash	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導體	Vishay
IRFP9140N	文件：142.22 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET(Vdss=-100V,Rds(on)=0.117ohm,Id=-23A) Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,provide	IRF International Rectifier	IRF
IRFP9140N	文件：327.49 Kbytes Page：2 Pages	iscP-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導體股份有限公司	ISC
IRFP9140NPBF	文件：240.8 Kbytes Page：9 Pages	HEXFET?PowerMOSFET Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,provide	IRF International Rectifier	IRF
IRFP9140NPBF	文件：241.76 Kbytes Page：9 Pages	ADVANCEDPROCESSTECHNOLOGY	IRF International Rectifier	IRF
IRFP9140PBF	文件：1.44912 Mbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheTO-247ACpackageispreferredforcommercial-industrialapplicationswherehigherpowerlevelspreclude	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導體	Vishay
IRFP9140PBF	文件：1.73601 Mbytes Page：8 Pages	HEXFET?PowerMOSFET	IRF International Rectifier	IRF
IRFP9140PBF	文件：757.38 Kbytes Page：11 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導體	Vishay
IRFS9140	文件：265.78 Kbytes Page：2 Pages	iscP-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導體股份有限公司	ISC
IRFY9140	文件：279.97 Kbytes Page：7 Pages	POWERMOSFETTHRU-HOLE(TO-257AA) 100V,P-CHANNELHEXFET?MOSFETTECHNOLOGY HEXFET?MOSFETtechnologyisthekeytoInternationalRectifier’sadvancedlineofpowerMOSFETtransistors.Theefficientgeometrydesignachievesverylowon-stateresistancecombinedwithhightransconductance.HEXFETtransistorsalsofeatureallo	IRF International Rectifier	IRF
IRFY9140	文件：14.3 Kbytes Page：2 Pages	P-CHANNELPOWERMOSFETFORHI-RELAPPLICATIONS	SEME-LAB Seme LAB	SEME-LAB
IRFY9140	文件：285.44 Kbytes Page：7 Pages	SimpleDriveRequirements	IRF International Rectifier	IRF
IRFY9140C	文件：14.71 Kbytes Page：2 Pages	P-CHANNELPOWERMOSFETFORHI-RELAPPLICATIONS	SEME-LAB Seme LAB	SEME-LAB
IRFY9140C	文件：257.399 Kbytes Page：7 Pages	POWERMOSFETTHRU-HOLE(TO-257AA) 100V,P-CHANNELHEXFET?MOSFETTECHNOLOGY HEXFET?MOSFETtechnologyisthekeytoInternationalRectifier’sadvancedlineofpowerMOSFETtransistors.Theefficientgeometrydesignachievesverylowon-stateresistancecombinedwithhightransconductance.HEXFETtransistorsalsofeatureallo	IRF International Rectifier	IRF

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詳細參數(shù)

型號：
IRFN9140SMD
制造商：
SEME-LAB
制造商全稱：
Seme LAB
功能描述：
P-CHANNEL POWER MOSFET

供應商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
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深圳誠思涵科技有限公司	IRFN9240	IR	18+	SMD	85600	保證進口原裝可開17%增值稅發(fā)票	詢價
深圳市昊創(chuàng)電子有限公司	IRFN9240	IR	專業(yè)軍工	NA	1000	只做原裝正品軍工級部分訂貨	詢價
深圳市晴軒時代電子有限公司	IRFN9240	IR	專業(yè)軍工	NA	1000	只做原裝正品	詢價
深圳市安富世紀電子有限公司	IRFN9240	IR	23+	SMD	50000	全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨	詢價
深圳市航宇科工半導體有限公司	IRFN9240	CHINA	22+	SMD-1	640	航宇科工半導體-央企合格優(yōu)秀供方!	詢價
深圳市威雅利發(fā)展有限公司	IRFN9240	IR	1341+	SMD	14	一級代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力	詢價
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更多IRFN9140SMD供應商更新時間2024-10-28 17:28:00

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