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IRFN9240	文件：215.48 Kbytes Page：6 Pages	POWERMOSFETN-CHANNEL(BVdss=-200V,Rds(on)=0.51ohm,Id=-11A) RDS(on)0.51? ID-11A HEXFET?MOSFETtechnologyisthekeytoInternationalRectifier’sadvancedlineofpowerMOSFETtransistors.Theefficientgeometrydesignachievesverylowon-stateresistancecombinedwithhightransconductance.HEXFETtransistorsalsofeatureallofthewell-establis	IRF International Rectifier	IRF
IRFN9240	文件：29.24 Kbytes Page：2 Pages	P??HANNELPOWERMOSFET	SEME-LAB Seme LAB	SEME-LAB
IRFN9240	文件：184.66 Kbytes Page：7 Pages	SimpleDriveRequirements	IRF International Rectifier	IRF
IRFN9240SMD	文件：23.63 Kbytes Page：2 Pages	P-CHANNELPOWERMOSFET	SEME-LAB Seme LAB	SEME-LAB
IRFP9240	文件：158.98 Kbytes Page：4 Pages	P-CHANNELPOWERMOSFETS FEATURES ?LowRDS(on) ?ImprovedInductiveruggedness ?Fastswitchingtimes ?Ruggedpolysllicongatecellstructure ?LowInputcapacitance ?Extendedsafeoperatingarea ?Improvedhightemperaturereliability	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新澤西半導體新澤西半導體產(chǎn)品股份有限公司	NJSEMI
IRFP9240	文件：1.77375 Mbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness.TheTO-247ACpackageispreferredforcommercial-industrialapplicationswherehigherpowerlevelspreclude	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導體	Vishay
IRFP9240	文件：508.31 Kbytes Page：12 Pages	P-CHANNELPOWERMOSFETS FEATURES ?LowRDS(on) ?Improvedinductiveruggedness ?Fsatswitchingtimes ?Ruggedpolysilicongatecellstructure ?Lowinputcapacitance ?Extendedsafeoperatingarea ?Improvedhightemperaturereliability	SamsungSamsung semiconductor 三星三星半導體	Samsung
IRFP9240	文件：56.43 Kbytes Page：7 Pages	12A,200V,0.500Ohm,P-ChannelPowerMOSFET ThisP-ChannelenhancementmodesilicongatepowerfieldeffecttransistorisanadvancedpowerMOSFETdesigned,tested,andguaranteedtowithstandaspecifiedlevelofenergyinthebreakdownavalanchemodeofoperation.AllofthesepowerMOSFETsaredesignedforapplicationssuchasswitching	Intersil Intersil Corporation	Intersil
IRFP9240	文件：166.13 Kbytes Page：6 Pages	PowerMOSFET(Vdss=-200V,Rds(on)=0.50ohm,Id=-12A) DESCRIPTION ThirdGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheTO-247packageispreferredforcommercial-industrialapplicationswherehigherpowerlevels	IRF International Rectifier	IRF
IRFP9240	文件：158.98 Kbytes Page：4 Pages	P-CHANNELPOWERMOSFETS FEATURES ?LowRDS(on) ?ImprovedInductiveruggedness ?Fastswitchingtimes ?Ruggedpolysllicongatecellstructure ?LowInputcapacitance ?Extendedsafeoperatingarea ?Improvedhightemperaturereliability	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新澤西半導體新澤西半導體產(chǎn)品股份有限公司	NJSEMI
IRFP9240	文件：1.83546 Mbytes Page：11 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導體	Vishay
IRFP9240	文件：372.65 Kbytes Page：2 Pages	iscP-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent–ID=-12A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=-200V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.5Ω(Max)@VGS=-10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DC	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導體股份有限公司	ISC
IRFP9240	文件：328.75 Kbytes Page：2 Pages	P-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=-12A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=-200V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.5Ω(Max)@VGS=-10V DESCRIPTION ·DC-DCConverters ·MotorDrive ·PowerSwitch	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導體股份有限公司	ISC
IRFP9240PBF	文件：1.77375 Mbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness.TheTO-247ACpackageispreferredforcommercial-industrialapplicationswherehigherpowerlevelspreclude	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導體	Vishay
IRFP9240PBF	文件：759.29 Kbytes Page：7 Pages	HEXFET?PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheTO-247packageispreferredforcommercial-industrialapplicationswherehigherpowerlevels	IRF International Rectifier	IRF
IRFP9240PBF	文件：1.83546 Mbytes Page：11 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導體	Vishay
IRFP9240R	文件：178.21 Kbytes Page：2 Pages	Avalanche-Energy-RatedP-ChannelPowerMOSFETs	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新澤西半導體新澤西半導體產(chǎn)品股份有限公司	NJSEMI
IRFY9240	文件：270.98 Kbytes Page：6 Pages	POWERMOSFETP-CHANNEL(BVdss=-200V,Rds(on)=0.51ohm,Id=-9.4A) PartNumberRds(on)IdEyelets IRFY9240C0.51?-9.4ACeramic IRFY9240CM0.51?-9.4ACeramic HEXFET?MOSFETtechnologyisthekeytoInternationalRectifier’sadvancedlineofpowerMOSFETtransistors.Theefficientgeometrydesignachievesverylowon-statere	IRF International Rectifier	IRF
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IRFY9240C	文件：15.6 Kbytes Page：1 Pages	P-ChannelMOSFETinaHermeticallysealed	SEME-LAB Seme LAB	SEME-LAB

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詳細參數(shù)

型號：
IRFM9240U
功能描述：
TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 11A I(D) | TO-254VAR

供應商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
貿(mào)澤芯城（深圳）電子科技有限公司	IRFM9391	IR	23+	DFN3*3	9999999	原廠授權一級代理,專業(yè)海外優(yōu)勢訂貨,價格優(yōu)勢、品種	詢價
深圳市永貝爾科技有限公司	IRFMA450	IRF	23+	NA	19960	只做進口原裝,終端工廠免費送樣	詢價
深圳市河鋒鑫科技有限公司	IRFMA450	IR	22+	n/a	6000	終端可免費供樣,支持BOM配單	詢價
深圳市安富世紀電子有限公司	IRFMA450	IR	23+	n/a	8000	只做原裝現(xiàn)貨	詢價
天津市博通航睿技術有限公司	IRFMA450	IR	23+	n/a	7000		詢價
京海半導體(深圳)有限公司	IRFMADCAPS2	IR	21+	SMD	10000	原裝現(xiàn)貨假一罰十	詢價
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深圳市毅創(chuàng)弘電子科技有限公司	IRFMG40	IR	23+		66800	現(xiàn)貨正品專供軍研究院	詢價
深圳市振芯物聯(lián)科技有限公司	IRFMG40	IR	22+	TO254	32350	原裝正品假一罰十公司現(xiàn)貨	詢價
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更多IRFM9240U供應商更新時間2024-10-28 15:45:00

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