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零件編號(hào)	下載&訂購	功能描述	制造商&上傳企業(yè)	LOGO
IRFM250D	文件：46.83 Kbytes Page：2 Pages	N–CHANNEL POWER MOSFET VDSS200V ID(cont)27.4A RDS(on)0.100? FEATURES ?N–CHANNELMOSFET ?HIGHVOLTAGE ?INTEGRALPROTECTIONDIODE ?HERMETICISOLATEDTO-254PACKAGE ?CERAMICSURFACEMOUNTPACKAGE OPTION	SEME-LAB Seme LAB	SEME-LAB
IRFN250	文件：217.76 Kbytes Page：6 Pages	POWERMOSFETN-CHANNEL(BVdss=200V,Rds(on)=0.100ohm,Id=27.4A) RDS(on)0.100? ID27.4A HEXFET?MOSFETtechnologyisthekeytoInternationalRectifier’sadvancedlineofpowerMOSFETtransistors.Theefficientgeometrydesignachievesverylowon-stateresistancecombinedwithhightransconductance.HEXFETtransistorsalsofeatureallofthewell-estab	IRF International Rectifier	IRF
IRFN250	文件：25.99 Kbytes Page：2 Pages	N??HANNELPOWERMOSFET FEATURES ?HERMETICALLYSEALEDSURFACEMOUNTPACKAGE ?SMALLFOOTPRINT–EFFICIENTUSEOFPCBSPACE. ?SIMPLEDRIVEREQUIREMENTS ?LIGHTWEIGHT ?HIGHPACKINGDENSITIES	SEME-LAB Seme LAB	SEME-LAB
IRFN250	文件：158.22 Kbytes Page：7 Pages	SimpleDriveRequirements	IRF International Rectifier	IRF
IRFN250SMD	文件：23.65 Kbytes Page：2 Pages	N-CHANNELPOWERMOSFET	SEME-LAB Seme LAB	SEME-LAB
IRFP250	文件：255.93 Kbytes Page：8 Pages	N-CHANNEL200V-0.073ohm-33ATO-247PowerMeshIIMOSFET DESCRIPTION ThePowerMESH?IIistheevolutionofthefirstgenerationofMESHOVERLAY?.ThelayoutrefinementsintroducedgreatlyimprovetheRon*areafigureofmeritwhilekeepingthedeviceattheleadingedgeforwhatconcernsswithingspeed,gatechargeandruggedness. ■TYPICALRDS(on)=0.	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體（ST）集團(tuán)	STMICROELECTRONICS
IRFP250	文件：518.69 Kbytes Page：7 Pages	N-ChannelPowerMosfets	SamsungSamsung semiconductor 三星三星半導(dǎo)體	Samsung
IRFP250	文件：669.63 Kbytes Page：8 Pages	200VN-ChannelMOSFET GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary, planar,DMOStechnology. Features ?32A,200V,RDS(on)=0.085?@VGS=10V ?Lowgatecharge(typical95nC) ?LowCrss(typical75pF) ?Fastswitching ?100ava	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
IRFP250	文件：493.77 Kbytes Page：8 Pages	N-Channel(HexfetTransistors)	IRF International Rectifier	IRF
IRFP250	文件：122.3 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET(Vdss=200V,Rds(on)=0.075ohm,Id=30A) Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,provide	IRF International Rectifier	IRF
IRFP250	文件：47.01 Kbytes Page：2 Pages	StandardPowerMOSFET N-ChannelEnhancementMode Features ?InternationalstandardpackageJEDECTO-247AD ?LowRDS(on)HDMOSTMprocess ?Ruggedpolysilicongatecellstructure ?Highcommutatingdv/dtrating ?Fastswitchingtimes Applications ?Switch-modeandresonant-modepowersupplies ?Motorcontrols	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IRFP250	文件：49.56 Kbytes Page：1 Pages	HighVoltagePowerMOSFETDieN-ChannelEnhancementModeHighRuggednessSeries FEATURES: ?Fastswitchingtimes ?LowRDS(on)HDMOS?process ?Ruggedpolysilicongatecellstructure ?Excellenthighvoltagestability ?Lowinputcapacitance ?Improvedhightemperaturereliability APPLICATIONS: ?Switchingpowersupplies ?Motorcontrols ?AudioAmplifiers ?Invert	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IRFP250	文件：1.86389 Mbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effictiveness. TheTO-220packageisuniversiallypreferredforcommercial-industrialapplicationswherehigherpowerleve	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRFP250	文件：1.46833 Mbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRFP250	文件：444.13 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor DESCRIPTION ·Designedforuseinswitchmodepowersuppliesandgeneralpurposeapplications. FEATURES ·DrainCurrent–ID=33A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=200V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.085Ω(Max) ·FastSwitching	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IRFP250	文件：2.29184 Mbytes Page：7 Pages	ThinkiSemi200V,32AN-ChannelPlanarProcessPowerMOSFETs	THINKISEMIThinki Semiconductor Co., Ltd. 思祁半導(dǎo)體思祁半導(dǎo)體有限公司	THINKISEMI
IRFP250	文件：2.43533 Mbytes Page：31 Pages	SEMICONDUCTORS	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc未分類制造商etc2未分類制造商	etc2
IRFP250	文件：1.49088 Mbytes Page：11 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRFP250	文件：522.33 Kbytes Page：10 Pages	PowerMOSFET FEATURES ?DynamicdV/dtrating ?Repetitiveavalancherated ?Isolatedcentralmountinghole ?Fastswitching ?EaseofParalleling ?Simpledriverequirements ?Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 Note *Thisdatasheetprovidesinf	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRFP250A	文件：256.95 Kbytes Page：7 Pages	AdvancedPowerMOSFET FEATURES ■AvalancheRuggedTechnology ■RuggedGateOxideTechnology ■LowerInputCapacitance ■ImprovedGateCharge ■ExtendedSafeOperatingArea ■LowerLeakageCurrent:10μA(Max.)@VDS=200V ■LowRDS(ON):0.071Ω(Typ.)	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild

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詳細(xì)參數(shù)

型號(hào)：
IRFM250D
功能描述：
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 27A I(D) | TO-254VAR

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫存	備注	價(jià)格
深圳市宇集芯電子有限公司	IRFM250DM	IR	24+	N/A	90000	原廠正規(guī)渠道現(xiàn)貨、保證原裝正品價(jià)格合理	詢價(jià)
深圳市鵬和科技有限公司	IRFM250DM	IR	24+		24	全新原裝	詢價(jià)
深圳市近平電子有限公司	IRFM250DM	IR	N/A	N/A	100	軍工品,原裝正品	詢價(jià)
深圳市星佑電子有限公司	IRFM250DM	IR	18+	原廠原裝假一賠十	24	原廠很遠(yuǎn)現(xiàn)貨很近,找現(xiàn)貨選星佑電子,原廠原裝假一賠	詢價(jià)
深圳市湘達(dá)電子科技有限公司	IRFM250DM	IR	2022+		24	只做原裝,價(jià)格優(yōu)惠,長期供貨。	詢價(jià)
深圳市河鋒鑫科技有限公司	IRFM250DM	IR	22+	N/A	6000	終端可免費(fèi)供樣,支持BOM配單	詢價(jià)
深圳市安富世紀(jì)電子有限公司	IRFM250DM	IR	23+	SMD	8000	只做原裝現(xiàn)貨	詢價(jià)
天津市博通航睿技術(shù)有限公司	IRFM250DM	IR	23+	SMD	7000		詢價(jià)
深圳市永貝爾科技有限公司	IRFM260	IRF	23+	NA	19960	只做進(jìn)口原裝,終端工廠免費(fèi)送樣	詢價(jià)
千層芯半導(dǎo)體(深圳)有限公司	IRFM260	IR	2018+	SMD	219	“芯達(dá)集團(tuán)”專營軍工百分之百原裝進(jìn)口	詢價(jià)

更多IRFM250D供應(yīng)商更新時(shí)間2024-10-28 16:16:00

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