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IRFM054	文件：192.56 Kbytes Page：7 Pages	POWER MOSFET THRU-HOLE (TO-254AA) HEXFET?MOSFETtechnologyisthekeytoInternationalRectifier’sadvancedlineofpowerMOSFETtransistors.Theefficientgeometrydesignachievesverylowon-stateresistancecombinedwithhightransconductance.HEXFETtransistorsalsofeatureallofthewell-establishedadvantagesofMOSFETs,s	IRF International Rectifier	IRF
IRFM054	文件：193.42 Kbytes Page：7 Pages	Simple Drive Requirements	IRF International Rectifier	IRF
IRFM054	文件：15.91 Kbytes Page：2 Pages	N-CHANNEL POWER MOSFET	SEME-LAB Seme LAB	SEME-LAB
IRFM054_15	文件：193.42 Kbytes Page：7 Pages	Simple Drive Requirements	IRF International Rectifier	IRF
IRFN054	文件：218.41 Kbytes Page：6 Pages	POWERMOSFETN-CHANNEL(BVdss=60V,Rds(on)=0.020ohm,Id=55A) RDS(on)0.020? ID55A HEXFET?MOSFETtechnologyisthekeytoInternationalRectifier’sadvancedlineofpowerMOSFETtransistors.Theefficientgeometrydesignachievesverylowon-stateresistancecombinedwithhightransconductance.HEXFETtransistorsalsofeatureallofthewell-estab	IRF International Rectifier	IRF
IRFN054	文件：219.49 Kbytes Page：7 Pages	SimpleDriveRequirements	IRF International Rectifier	IRF
IRFN054SMD	文件：23.58 Kbytes Page：2 Pages	N-CHANNELPOWERMOSFET VDSS60V ID(cont)45A RDS(on)0.027? FEATURES ?HERMETICALLYSEALEDSURFACEMOUNTPACKAGE ?SMALLFOOTPRINT–EFFICIENTUSEOFPCBSPACE. ?SIMPLEDRIVEREQUIREMENTS ?LIGHTWEIGHT ?HIGHPACKINGDENSITIES	SEME-LAB Seme LAB	SEME-LAB
IRFP054	文件：170.62 Kbytes Page：6 Pages	PowerMOSFET(Vdss=60V,Rds(on)=0.014ohm,Id=70*A) Description ThirdGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheTO-247packageispreferredforcommercial-industrialapplicationswherehigherpowerlevels	IRF International Rectifier	IRF
IRFP054	文件：1.53169 Mbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheTO-247ACpackageispreferredforcommercial-industrialapplicationswherehigherpowerlevelspreclude	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRFP054	文件：1.56179 Mbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay

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詳細(xì)參數(shù)

型號：
IRFM054
制造商：
International Rectifier
功能描述：
Trans MOSFET N-CH 60V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-254AA
功能描述：
TRANS MOSFET N-CH 60V 35A 3PIN TO-254AA - Bulk
功能描述：
Single N-Channel 60 V 150 W 180 nC Hexfet Power Mosfet Flange Mount - TO-254AA
功能描述：
N CHANNEL MOSFET, 60V, 35A TO-254AA; Transistor
Polarity：
N Channel; Continuous Drain Current
Id：
35A; Drain Source Voltage
Vds：
60V; On Resistance
Rds(on)：
27mohm; Rds(on) Test Voltage
Vgs：
10V; Threshold Voltage Vgs
Typ：
4V ;RoHS
Compliant：
No

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