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IRFM350	文件：20.74 Kbytes Page：2 Pages	N-CHANNELPOWERMOSFET	SEME-LAB Seme LAB	SEME-LAB
IRFM350	文件：203.26 Kbytes Page：7 Pages	POWERMOSFETTHRU-HOLE(TO-254AA) PartNumberRDS(on)ID IRFM3500.315?14A HEXFET?MOSFETtechnologyisthekeytoInternationalRectifier’sadvancedlineofpowerMOSFETtransistors.Theefficientgeometrydesignachievesverylowon-stateresistancecombinedwithhightransconductance.HEXFETtransis	IRF International Rectifier	IRF
IRFM350	文件：244.38 Kbytes Page：7 Pages	SimpleDriveRequirements	IRF International Rectifier	IRF
IRFN350	文件：212.67 Kbytes Page：6 Pages	POWERMOSFETN-CHANNEL(BVdss=400V,Rds(on)=0.315ohm,Id=14A) RDS(on)0.315? ID14A HEXFET?MOSFETtechnologyisthekeytoInternationalRectifier’sadvancedlineofpowerMOSFETtransistors.Theefficientgeometrydesignachievesverylowon-stateresistancecombinedwithhightransconductance.HEXFETtransistorsalsofeatureallofthewell-establi	IRF International Rectifier	IRF
IRFN350	文件：276.84 Kbytes Page：7 Pages	SimpleDriveRequirements	IRF International Rectifier	IRF
IRFP350	文件：57.28 Kbytes Page：7 Pages	16A,400V,0.300Ohm,N-ChannelPowerMOSFET ThisN-ChannelenhancementmodesilicongatepowerfieldeffecttransistorisanadvancedpowerMOSFETdesigned,tested,andguaranteedtowithstandaspecifiedlevelofenergyinthebreakdownavalanchemodeofoperation.AllofthesepowerMOSFETsaredesignedforapplicationssuchasswitching	Intersil Intersil Corporation	Intersil
IRFP350	文件：161.9 Kbytes Page：6 Pages	PowerMOSFET(Vdss=400V,Rds(on)=0.30ohm,Id=16A) DESCRIPTION ThirdGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheTO-247packageispreferredforcommercial-industrialapplicationswherehigherpowerlevels	IRF International Rectifier	IRF
IRFP350	文件：215.5 Kbytes Page：5 Pages	N-CHANNELPOWERMOSFETS FEATURES ●LowRDS(on) ●ImprovedInducttiveruggedness ●Fastswitchingtimes ●Ruggedpolysilicongatecellstructure ●Lowinputcapacitance ●Extendedsafeoperatingarea ●Improvedhightemperaturereliability ●TO-3Ppackage	SamsungSamsung semiconductor 三星三星半導(dǎo)體	Samsung
IRFP350	文件：1.56932 Mbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRFP350	文件：67.81 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IRFP350	文件：637.84 Kbytes Page：6 Pages	N-ChannelPowerMosfet	ARTSCHIP ARTSCHIP ELECTRONICS CO.,LMITED.	ARTSCHIP
IRFP350	文件：1.5891 Mbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRFP350	文件：2.43533 Mbytes Page：31 Pages	SEMICONDUCTORS	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc未分類制造商etc2未分類制造商	etc2
IRFP350	文件：1.61166 Mbytes Page：11 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRFP350	文件：877.55 Kbytes Page：11 Pages	PowerMOSFET FEATURES ?DynamicdV/dtrating ?Repetitiveavalancherated ?Isolatedcentralmountinghole ?Fastswitching ?Easeofparalleling ?Simpledriverequirements ?Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 Note *Thisdatasheetprovidesinf	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRFP350A	文件：232.47 Kbytes Page：7 Pages	AdvancedPowerMOSFET FEATURES ?AvalancheRuggedTechnology ?RuggedGateOxideTechnology ?LowerInputCapacitance ?ImprovedGateCharge ?ExtendedSafeOperatingArea ?LowerLeakageCurrent:10μA(Max.)@VDS=400V ?LowRDS(ON):0.254?(Typ.)	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
IRFP350A	文件：67.82 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor DESCRIPTION ?Designedforuseinswitchmodepowersuppliesandgeneralpurposeapplications. FEATURES ?DrainCurrent–ID=17A@TC=25℃ ?DrainSourceVoltage- :VDSS=400V(Min) ?StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.3Ω(Max) ?FastSwitching	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IRFP350FI	文件：70.04 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IRFP350LC	文件：333.88 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET(Vdss=400V,Rds(on)=0.30ohm,Id=16A) Description ThisnewseriesofLowChargeHEXFETPowerMOSFETsachievesignificantlylowergatechargeoverconventionalMOSFETs.UtilizingadvancedHexfettechnologythedeviceimprovementsallowforreducedgatedriverequirements,fasterswitchingspeedsandincreasedtotalsystemsavings.The	IRF International Rectifier	IRF
IRFP350LC	文件：1.98549 Mbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay

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詳細(xì)參數(shù)

型號：
IRFH350
功能描述：
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 400V V(BR)DSS | 15A I(D) | TO-210AC

供應(yīng)商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價(jià)格
深圳市昌和盛利電子有限公司	IRFH350	IR	23+	原廠封裝	8238		詢價(jià)
深圳市河鋒鑫科技有限公司	IRFH350	IR	22+	8904	6000	終端可免費(fèi)供樣,支持BOM配單	詢價(jià)
深圳市安富世紀(jì)電子有限公司	IRFH350	IR	23+	8904	8000	只做原裝現(xiàn)貨	詢價(jià)
天津市博通航睿技術(shù)有限公司	IRFH350	IR	23+	8904	7000		詢價(jià)
貿(mào)澤芯城（深圳）電子科技有限公司	IRFH3504MTRPBF	IR	23+	QFN	3000	一級代理原廠VIP渠道,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、	詢價(jià)
深圳市博浩通科技有限公司	IRFH3702	IRF	23+	DFN	69000	全新原裝現(xiàn)貨熱賣/代理品牌/可申請樣品和規(guī)格書	詢價(jià)
IRFH3702	英飛凌	21+	PQFN 3X3 8L	6000	絕對原裝現(xiàn)貨	詢價(jià)
深圳市斌騰達(dá)科技有限公司	IRFH3702	INFINE0N	21+	S3O8 (3x3mm style SuperSO8)	32568	100%進(jìn)口原裝!長期供應(yīng)!絕對優(yōu)勢價(jià)格(誠信經(jīng)營	詢價(jià)
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更多IRFH350供應(yīng)商更新時(shí)間2025-1-2 17:13:00

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