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IRFBE30STRLPBF中文資料威世科技數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

IRFBE30STRLPBF
廠商型號(hào)

IRFBE30STRLPBF

功能描述

Power MOSFET

文件大小

1.20346 Mbytes

頁面數(shù)量

8

生產(chǎn)廠商 Vishay Siliconix
企業(yè)簡(jiǎn)稱

Vishay威世科技

中文名稱

威世科技半導(dǎo)體官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-1-26 20:00:00

IRFBE30STRLPBF規(guī)格書詳情

DESCRIPTION

Third generation Power MOSFETs from Vishay provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness.

FEATURES

? Dynamic dV/dt Rating

? Repetitive Avalanche Rated

? Fast Switching

? Ease of Paralleling

? Simple Drive Requirements

? Lead (Pb)-free Available

?

產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào):

    IRFBE30STRLPBF

  • 功能描述:

    MOSFET N-CH 800V 4.1A D2PAK

  • RoHS:

  • 類別:

    分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單

  • 系列:

    -

  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝:

    1,000

  • 系列:

    MESH OVERLAY™ FET

  • 型:

    MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET

  • 特點(diǎn):

    邏輯電平門

  • 漏極至源極電壓(Vdss):

    200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°

  • C:

    18A 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25°

  • C:

    180 毫歐 @ 9A,10V Id 時(shí)的

  • Vgs(th)(最大):

    4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @

  • Vgs:

    72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @

  • Vds:

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大:

    40W

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-220-3 整包

  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝:

    TO-220FP

  • 包裝:

    管件

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
VISHAY/威世
22+
D2PAK
100000
代理渠道/只做原裝/可含稅
詢價(jià)
VISHAY/威世
23+
NA/
12331
原裝現(xiàn)貨,當(dāng)天可交貨,原型號(hào)開票
詢價(jià)
VISHAY/威世
24+
D2PAK
4480
只做原廠渠道 可追溯貨源
詢價(jià)
IRFBE30STRLPBF
575
575
詢價(jià)
VISHAY
24+
D2PAK
9000
只做原裝正品 有掛有貨 假一賠十
詢價(jià)
VISHAY
23+
D2PAK
7000
詢價(jià)
VISHAY/威世
22+
D2PAK
25000
只做原裝進(jìn)口現(xiàn)貨,專注配單
詢價(jià)
Vishay Siliconix
2022+
TO-263-3,D2Pak(2 引線 + 接片
38550
全新原裝 支持表配單 中國(guó)著名電子元器件獨(dú)立分銷
詢價(jià)
VISHAY/威世
2021+
SMD
100500
一級(jí)代理專營(yíng)品牌!原裝正品,優(yōu)勢(shì)現(xiàn)貨,長(zhǎng)期排單到貨
詢價(jià)
VISHAY/威世
23+
D2PAK
10000
公司只做原裝正品
詢價(jià)