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IRFB260	文件：90.7 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET(Vdss=200V, Rds(on)max=0.040ohm, Id=56A) SMPSMOSFET VDSSRDS(on)maxID 200V0.040?56A Benefits LowGate-to-DrainChargetoReduceSwitchingLosses FullyCharacterizedCapacitanceIncludingEffectiveCOSStoSimplifyDesign,(SeeApp.NoteAN1001) FullyCharacterizedAvalancheVoltageandCurrent	IRF International Rectifier	IRF
IRFB260N	文件：90.7 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET(Vdss=200V, Rds(on)max=0.040ohm, Id=56A) SMPSMOSFET VDSSRDS(on)maxID 200V0.040?56A Benefits LowGate-to-DrainChargetoReduceSwitchingLosses FullyCharacterizedCapacitanceIncludingEffectiveCOSStoSimplifyDesign,(SeeApp.NoteAN1001) FullyCharacterizedAvalancheVoltageandCurrent	IRF International Rectifier	IRF
IRFB260NPBF	文件：167 Kbytes Page：8 Pages	HEXFET Power MOSFET Benefits ●LowGate-to-DrainChargetoReduceSwitchingLosses ●FullyCharacterizedCapacitanceIncludingEffectiveCOSStoSimplifyDesign,(SeeApp.NoteAN1001) ●FullyCharacterizedAvalancheVoltageandCurrent Applications ●HighfrequencyDC-DCconverters ●Lead-Free	IRF International Rectifier	IRF
IRFB260N	文件：338.85 Kbytes Page：2 Pages	N-Channel MOSFET Transistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IRFB260NPBF	文件：175.96 Kbytes Page：9 Pages	High frequency DC-DC converters	IRF International Rectifier	IRF
IRFB260NPBF_15	文件：175.96 Kbytes Page：9 Pages	High frequency DC-DC converters	IRF International Rectifier	IRF
IRFI260	文件：135.18 Kbytes Page：4 Pages	TRANSISTORN-CHANNEL(Vdss=200V,Rds(on)=0.060ohm,Id=45A*) 200Volt,0.060?,HEXFET HEXFETtechnologyisthekeytoInternationalRectifier’sadvancedlineofpowerMOSFETtransistors.Theefficientgeometrydesignachievesverylowon-stateresistancecombinedwithhightransconductance. HEXFETtransistorsalsofeatureallofthewell-establishedadvan	IRF International Rectifier	IRF
IRFI260	文件：61.18 Kbytes Page：4 Pages	SimpleDriveRequirements	IRF International Rectifier	IRF
IRFM260	文件：442.38 Kbytes Page：8 Pages	TRANSISTORN-CHANNEL(BVdss=200V,Rds(on)=0.060ohm,Id=35A*) HEXFET?MOSFETtechnologyisthekeytoInternationalRectifier’sadvancedlineofpowerMOSFETtransistors.Theefficientgeometrydesignachievesverylowonstateresistancecombinedwithhightransconductance. HEXFETtransistorsalsofeatureallofthewellestablishedadvantagesofMOSFETs	IRF International Rectifier	IRF
IRFM260	文件：189.74 Kbytes Page：7 Pages	SimpleDriveRequirements	IRF International Rectifier	IRF
IRFP260	文件：122.69 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET(Vdss=200V,Rds(on)=0.04ohm,Id=50A) Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,provide	IRF International Rectifier	IRF
IRFP260	文件：36.08 Kbytes Page：2 Pages	StandardPowerMOSFET-N-ChannelEnhancementMode Features ?InternationalstandardpackageJEDECTO-247AD ?LowRDS(on)HDMOS?process ?Ruggedpolysilicongatecellstructure ?Highcommutatingdv/dtrating ?Fastswitchingtimes	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IRFP260	文件：541.53 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness.TheTO-247ACpackageispreferredforcommercial-industrialapplicationswherehigherpowerlevelspreclude	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRFP260	文件：443.71 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IRFP260	文件：1.79918 Mbytes Page：11 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRFP260	文件：687.16 Kbytes Page：11 Pages	PowerMOSFET FEATURES ?DynamicdV/dtrating ?Repetitiveavalancherated ?Isolatedcentralmountinghole ?Fastswitching ?Easeofparalleling ?Simpledriverequirements ?Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 Note *Thisdatasheetprovidesinf	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRFP260M	文件：333.83 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelMOSFETTransistor ·DESCRITION ·HighSpeedPowerSwitching ·FEATURES ·Staticdrain-sourceon-resistance:RDS(on)≤40m? ·Enhancementmode: ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdeviceperformanceandreliableoperation	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IRFP260MPBF	文件：641.1 Kbytes Page：8 Pages	HEXFET?PowerMOSFET VDSS=200V RDS(on)=0.04? ID=50A Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETP	IRF International Rectifier	IRF
IRFP260MPBF	文件：641.1 Kbytes Page：8 Pages	AdvancedProcessTechnology	IRF International Rectifier	IRF
IRFP260MPBF	文件：1.13621 Mbytes Page：9 Pages	AdvancedProcessTechnology	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon

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詳細(xì)參數(shù)

型號：
IRFB260
制造商：
IRF
制造商全稱：
International Rectifier
功能描述：
Power MOSFET(Vdss=200V, Rds(on)max=0.040ohm, Id=56A)

供應(yīng)商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
深圳市昌和盛利電子有限公司	IRFB260	IR	23+	TO-220	35890		詢價
深圳市永貝爾科技有限公司	IRFB260	IRF	23+	NA	19960	只做進(jìn)口原裝,終端工廠免費送樣	詢價
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更多IRFB260供應(yīng)商更新時間2025-1-8 17:17:00

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