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IRFB17N20D中文資料無錫固電數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書
IRFB17N20D規(guī)格書詳情
FEATURES
·Drain Current -ID=16A@ TC=25℃
·Drain Source Voltage -VDSS=200V(Min)
·Static Drain-Source On-Resistance
-RDS(on) =0.17Ω(Max)@VGS = 10 V
DESCRIPTION
·Motor drive, DC-DC converter, power switch
and solenoid drive.
產(chǎn)品屬性
- 型號：
IRFB17N20D
- 功能描述：
MOSFET N-CH 200V 16A TO-220AB
- RoHS：
否
- 類別：
分離式半導體產(chǎn)品 >> FET - 單
- 系列：
HEXFET®
- 標準包裝：
1,000
- 系列：
MESH OVERLAY™ FET
- 型：
MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET
- 特點：
邏輯電平門
- 漏極至源極電壓(Vdss)：
200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°
- C：
18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
- C：
180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的
- Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @
- Vgs：
72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @
- Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
- 最大：
40W
- 安裝類型：
通孔
- 封裝/外殼：
TO-220-3 整包
- 供應商設備封裝：
TO-220FP
- 包裝：
管件
| 供應商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
INFINEON/英飛凌 |
23+ |
NA/ |
3800 |
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詢價 | ||
I |
2020+ |
TO-220A |
80000 |
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IR |
24+ |
TO-220AB |
16800 |
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IR原裝 |
22+23+ |
TO-220 |
22562 |
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IR |
24+ |
TO-220AB |
8866 |
詢價 | |||
IR |
22+ |
TO-220 |
8900 |
英瑞芯只做原裝正品!!! |
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IR |
23+ |
TO-220 |
35890 |
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IR |
2021+ |
TO-220 |
100500 |
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INFINEON/英飛凌 |
23+ |
TO-220 |
7000 |
詢價 | |||
Infineon Technologies |
2022+ |
TO-220-3 |
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