IRF9956TR中文資料友臺半導體數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書
IRF9956TR規(guī)格書詳情
Features
Generation V Technology
Ultra Low On-Resistance
Surface Mount
Very Low Gate Charge and Switching Losses
Fully Avalanche Rated
Lead-Free
VDS (V) =30V
ID = 2.2A (VGS = -10V)
RDS(ON) ＜ 100mΩ(VGS=-10V)
RDS(ON) ＜ 200 mΩ(VGS=-4.5V)
產(chǎn)品屬性
- 型號：
IRF9956TR
- 功能描述：
MOSFET 2N-CH 30V 3.5A 8-SOIC
- RoHS：
否
- 類別：
分離式半導體產(chǎn)品 >> FET - 陣列
- 系列：
HEXFET®
- 產(chǎn)品目錄繪圖：
8-SOIC Mosfet Package
- 標準包裝：
1
- 系列：
- FET
- 型：
2 個 N 溝道（雙） FET
- 特點：
邏輯電平門
- 漏極至源極電壓(Vdss)：
60V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°
- C：
3A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
- C：
75 毫歐 @ 4.6A，10V Id 時的
- Vgs(th)（最大）：
3V @ 250µA 閘電荷(Qg) @
- Vgs：
20nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @
- Vds：
- 功率 -
- 最大：
1.4W
- 安裝類型：
表面貼裝
- 封裝/外殼：
PowerPAK? SO-8
- 供應商設備封裝：
PowerPAK? SO-8
- 包裝：
Digi-Reel®
- 產(chǎn)品目錄頁面：
1664(CN2011-ZH PDF)
- 其它名稱：
SI7948DP-T1-GE3DKR
| 供應商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IR |
21+ |
SOP8 |
1638 |
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詢價 | ||
Infineon Technologies |
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IR |
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IR |
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IOR |
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23+ |
SOIC-8_150mil |
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IR |
24+ |
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Infineon/英飛凌 |
21+ |
SOIC-8_150mil |
10000 |
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詢價 | ||
IR |
21+ |
SOP8 |
4550 |
全新原裝現(xiàn)貨 |
詢價 |
