IRF9520NS中文資料IRF數據手冊PDF規(guī)格書
IRF9520NS規(guī)格書詳情
Description
Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET Power MOSFETs are well known for, provides the designer with an extremely efficient and reliable device for use in a wide variety of applications.
? Advanced Process Technology
? Surface Mount (IRF9520S)
? Low-profile through-hole (IRF9520L)
? 175°C Operating Temperature
? Fast Switching
? P-Channel
? Fully Avalanche Rated
產品屬性
- 型號:
IRF9520NS
- 功能描述:
MOSFET P-CH 100V 6.8A D2PAK
- RoHS:
否
- 類別:
分離式半導體產品 >> FET - 單
- 系列:
HEXFET®
- 標準包裝:
1,000
- 系列:
MESH OVERLAY™ FET
- 型:
MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET
- 特點:
邏輯電平門
- 漏極至源極電壓(Vdss):
200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°
- C:
18A 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25°
- C:
180 毫歐 @ 9A,10V Id 時的
- Vgs(th)(最大):
4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @
- Vgs:
72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @
- Vds:
1560pF @ 25V 功率 -
- 最大:
40W
- 安裝類型:
通孔
- 封裝/外殼:
TO-220-3 整包
- 供應商設備封裝:
TO-220FP
- 包裝:
管件
供應商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
IR |
24+ |
NA/ |
5700 |
優(yōu)勢代理渠道,原裝正品,可全系列訂貨開增值稅票 |
詢價 | ||
IR |
22+ |
SOT-263 |
100000 |
代理渠道/只做原裝/可含稅 |
詢價 | ||
IR |
20+ |
TO-263 |
800 |
一級代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力 |
詢價 | ||
IR |
2022+ |
TO-263 |
48000 |
只做原裝,原裝,假一罰十 |
詢價 | ||
INFINEON/英飛凌 |
22+ |
TO-263 |
12500 |
原裝正品支持實單 |
詢價 | ||
IR |
2016+ |
TO-263 |
6528 |
房間原裝進口現貨假一賠十 |
詢價 | ||
IR |
24+ |
TO-263 |
501326 |
免費送樣原盒原包現貨一手渠道聯(lián)系 |
詢價 | ||
IR |
21+ |
TO-263 |
30000 |
百域芯優(yōu)勢 實單必成 可開13點增值稅 |
詢價 | ||
IR |
23+ |
TO-263 |
1800 |
絕對全新原裝!優(yōu)勢供貨渠道!特價!請放心訂購! |
詢價 | ||
IR |
24+ |
D2-Pak |
8866 |
詢價 |