IRF822中文資料三星數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

廠商型號(hào) |
IRF822 |
功能描述 | N-CHANNEL POWER MOSFETS |
文件大小 |
322.92 Kbytes |
頁面數(shù)量 |
6 頁 |
生產(chǎn)廠商 | Samsung semiconductor |
企業(yè)簡稱 |
Samsung【三星】 |
中文名稱 | 三星半導(dǎo)體官網(wǎng) |
原廠標(biāo)識(shí) | ![]() |
數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
更新時(shí)間 | 2025-3-23 15:22:00 |
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IRF822規(guī)格書詳情
FEATURES
● Lower RDS(ON)
● Improved inductive ruggedness
● Fast switching times
● Rugged polysilicon gate cell structure
● Lower input capacitance
● Extended safe operating area
● Improved high temperature reliability
產(chǎn)品屬性
- 型號(hào):
IRF822
- 制造商:
Rochester Electronics LLC
- 功能描述:
- Bulk
- 制造商:
Harris Corporation
供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價(jià)格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
IR |
2020+ |
TO-220 |
80000 |
只做自己庫存,全新原裝進(jìn)口正品假一賠百,可開13%增 |
詢價(jià) | ||
F |
22+ |
TO-220 |
25000 |
只做原裝進(jìn)口現(xiàn)貨,專注配單 |
詢價(jià) | ||
IR |
23+ |
TO-220 |
7000 |
詢價(jià) | |||
HARRIS |
23+ |
65480 |
詢價(jià) | ||||
F |
22+ |
TO-220 |
6000 |
十年配單,只做原裝 |
詢價(jià) | ||
IR |
23+ |
TO-220 |
6000 |
特價(jià)庫存 |
詢價(jià) | ||
IR |
24+ |
6430 |
原裝現(xiàn)貨/歡迎來電咨詢 |
詢價(jià) | |||
門市 |
23+ |
91 |
10000 |
原廠授權(quán)一級(jí)代理,專業(yè)海外優(yōu)勢訂貨,價(jià)格優(yōu)勢、品種 |
詢價(jià) | ||
24+ |
N/A |
65000 |
一級(jí)代理-主營優(yōu)勢-實(shí)惠價(jià)格-不悔選擇 |
詢價(jià) | |||
IR |
23+24 |
TO-220 |
59630 |
主營原裝MOS,二三級(jí)管,肖特基,功率場效應(yīng)管 |
詢價(jià) |