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IRF8113

Marking：F8113；Package：SO-8；Power MOSFET

Benefits ●VeryLowRDS(on)at4.5VVGS ●LowGateCharge ●FullyCharacterizedAvalancheVoltage andCurrent ●100TestedforRG Applications ●SynchronousMOSFETforNotebook ProcessorPower ●SynchronousRectifierMOSFETfor IsolatedDC-DCConvertersin NetworkingSystems

IRF

International Rectifier

IRF8113

Marking：F8113；Package：SO-8；Synchronous MOSFET for Notebook Processor Power

IRF

International Rectifier

IRF8113

Marking：F8113；Package：SO-8；IRU3146 EVALUATION BOARD USER GUIDE

IRF

International Rectifier

IRF8113GPBF

DirectFETPower MOSFET

Benefits ●VeryLowRDS(on)at4.5VVGS ●LowGateCharge ●FullyCharacterizedAvalancheVoltage andCurrent ●100TestedforRG Applications ●SynchronousMOSFETforNotebook ProcessorPower ●SynchronousRectifierMOSFETfor IsolatedDC-DCConvertersin NetworkingSystems

IRF

International Rectifier

IRF8113PBF

HEXFET?Power MOSFET

Benefits ●VeryLowRDS(on)at4.5VVGS ●LowGateCharge ●FullyCharacterizedAvalancheVoltage andCurrent ●100TestedforRG ●Lead-Free Applications ●SynchronousMOSFETforNotebook ProcessorPower ●SynchronousRectifierMOSFETfor IsolatedDC-DCConvertersin Netwo

IRF

International Rectifier

IRF8113TR

Marking：IRF8113；Package：SOP-8；30V N-Channel MOSFET

Applications SynchronousMOSFETforNotebook ProcessorPower SynchronousRectifierMOSFETfor IsolatedDC-DCConvertersinNetworking Systems

UMWGuangdong Youtai Semiconductor Co., Ltd.

友臺(tái)半導(dǎo)體廣東友臺(tái)半導(dǎo)體有限公司

IRF8113PBF

Synchronous MOSFET for Notebook Processor Power

IRF

International Rectifier

IRF8113PBF_15

Synchronous MOSFET for Notebook Processor Power

IRF

International Rectifier

IRF8113PBF-1

Industry-standard pinout SO-8 Package

IRF

International Rectifier

IRF8113PBF-1_15

Industry-standard pinout SO-8 Package

IRF

International Rectifier

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號(hào)：

    IRF8113

  • 功能描述：

    MOSFET N-CH 30V 17.2A 8-SOIC

  • RoHS：

    否

  • 類別：

    分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單

  • 系列：

    HEXFET®

  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝：

    1,000

  • 系列：

    MESH OVERLAY™ FET

  • 型：

    MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET

  • 特點(diǎn)：

    邏輯電平門

  • 漏極至源極電壓(Vdss)：

    200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°

  • C：

    18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°

  • C：

    180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的

  • Vgs(th)（最大）：

    4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @

  • Vgs：

    72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @

  • Vds：

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大：

    40W

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-220-3 整包

  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝：

    TO-220FP

  • 包裝：

    管件

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫存備注價(jià)格
IR/VISHAY
SO-8
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提供BOM表配單TEL:0755-83759919QQ:2355705587杜S
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原裝現(xiàn)貨假一罰十
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原裝正品,假一罰十
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百分百原裝正品 真實(shí)公司現(xiàn)貨庫存 本公司只做原裝 可
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只做進(jìn)口原裝,終端工廠免費(fèi)送樣
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更多IRF8113供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-1-30 14:00:00

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