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IRF7822PBF中文資料IRF數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

IRF7822PBF
廠商型號

IRF7822PBF

功能描述

HEXFET? Power MOSFET for DC-DC Converters

文件大小

143.55 Kbytes

頁面數(shù)量

6

生產(chǎn)廠商 International Rectifier
企業(yè)簡稱

IRF

中文名稱

International Rectifier官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時間

2025-1-7 17:51:00

IRF7822PBF規(guī)格書詳情

Description

This new device employs advanced HEXFET Power MOSFET technology to achieve an unprecedented balance of on-resistance and gate charge. The reduced conduction and switching losses make it ideal for high efficiency DC-DC converters that power the latest generation of microprocessors.

? N-Channel Application-Specific MOSFETs

? Ideal for CPU Core DC-DC Converters

? Low Conduction Losses

? Low Switching Losses

? Lead-Free

產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    IRF7822PBF

  • 功能描述:

    MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 6.5mOhms 44nC

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導(dǎo)通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風(fēng)格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

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