IRF7752中文資料IRF數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書
IRF7752規(guī)格書詳情
Description
HEXFET? power MOSFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the ruggedized device design , that International Rectifier is well known for, provides thedesigner with an extremely efficient and reliable device for use in battery and load management.
● Ultra Low On-Resistance
● Dual N-Channel MOSFET
● Very Small SOIC Package
● Low Profile (< 1.1mm)
● Available in Tape & Reel
產(chǎn)品屬性
- 型號:
IRF7752
- 功能描述:
MOSFET 2N-CH 30V 4.6A 8-TSSOP
- RoHS:
否
- 類別:
分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 陣列
- 系列:
HEXFET®
- 產(chǎn)品目錄繪圖:
8-SOIC Mosfet Package
- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:
1
- 系列:
- FET
- 型:
2 個 N 溝道(雙) FET
- 特點:
邏輯電平門
- 漏極至源極電壓(Vdss):
60V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°
- C:
3A 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25°
- C:
75 毫歐 @ 4.6A,10V Id 時的
- Vgs(th)(最大):
3V @ 250µA 閘電荷(Qg) @
- Vgs:
20nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @
- Vds:
- 功率 -
- 最大:
1.4W
- 安裝類型:
表面貼裝
- 封裝/外殼:
PowerPAK? SO-8
- 供應(yīng)商設(shè)備封裝:
PowerPAK? SO-8
- 包裝:
Digi-Reel®
- 產(chǎn)品目錄頁面:
1664(CN2011-ZH PDF)
- 其它名稱:
SI7948DP-T1-GE3DKR
供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
IR |
24+ |
TSSOP-8 |
4000 |
只做原裝正品現(xiàn)貨 歡迎來電查詢15919825718 |
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IOR |
2023+ |
SOP-8 |
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2020+ |
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IR |
24+ |
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IR |
23+ |
4497 |
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全新原裝現(xiàn)貨 |
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IRF |
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IR |
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TSSOP |
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IR |
24+ |
TSSOP-8 |
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