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IRF7452	文件：104.54 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)max=0.060ohm, Id=4.5A) SMPSMOSFET Benefits ●LowGatetoDrainChargetoReduce SwitchingLosses ●FullyCharacterizedCapacitanceIncluding EffectiveCOSStoSimplifyDesign,(See App.NoteAN1001) ●FullyCharacterizedAvalancheVoltage andCurrent Applications ●HighfrequencyDC-DCconverters	IRF International Rectifier	IRF
IRF7452PBF	文件：279.19 Kbytes Page：8 Pages	HEXFET Power MOSFET SMPSMOSFET Benefits ●LowGatetoDrainChargetoReduce SwitchingLosses ●FullyCharacterizedCapacitanceIncluding EffectiveCOSStoSimplifyDesign,(See App.NoteAN1001) ●FullyCharacterizedAvalancheVoltage andCurrent Applications ●HighfrequencyDC-DCconverters	IRF International Rectifier	IRF
IRF7452QPBF	文件：204.72 Kbytes Page：8 Pages	HEXFET Power MOSFET Description TheseHEXFET?PowerMOSFETsinSO-8packageutilizethelastestprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.AdditionalfeaturesoftheseHEXFETPowerMOSFETsarea150°Cjunctionoperatingtemperature,fastswitchingspeedandimprovedrepetitiveava	IRF International Rectifier	IRF
IRF7452PBF	文件：284.49 Kbytes Page：8 Pages	HIGH FREQUENCY DC-DC CONVERTERS	IRF International Rectifier	IRF
IRF7452PBF_15	文件：284.49 Kbytes Page：8 Pages	HIGH FREQUENCY DC-DC CONVERTERS	IRF International Rectifier	IRF
IRF7452QPBF_10	文件：189.06 Kbytes Page：8 Pages	HEXFETPower MOSFET	IRF International Rectifier	IRF
MAX7452	文件：254.5 Kbytes Page：9 Pages	Video-SignalConditionerswithAGCandBack-PorchClamp	MaximMaxim Integrated Products 美信美信半導(dǎo)體	Maxim
MAX7452	文件：95.98 Kbytes Page：4 Pages	MAX7452EvaluationKit	MaximMaxim Integrated Products 美信美信半導(dǎo)體	Maxim
MAX7452ESA	文件：254.5 Kbytes Page：9 Pages	Video-SignalConditionerswithAGCandBack-PorchClamp	MaximMaxim Integrated Products 美信美信半導(dǎo)體	Maxim
MAX7452EVKIT	文件：95.98 Kbytes Page：4 Pages	MAX7452EvaluationKit	MaximMaxim Integrated Products 美信美信半導(dǎo)體	Maxim

詳細(xì)參數(shù)

型號：
IRF7452
功能描述：
MOSFET N-CH 100V 4.5A 8-SOIC
RoHS：
否
類別：
分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單
系列：
HEXFET®
標(biāo)準(zhǔn)包裝：
1,000
系列：
MESH OVERLAY™ FET
型：
MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET
特點(diǎn)：
邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss)：
200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°
C：
18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的
Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @
Vgs：
72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @
Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
最大：
40W
安裝類型：
通孔
封裝/外殼：
TO-220-3 整包
供應(yīng)商設(shè)備封裝：
TO-220FP
包裝：
管件

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