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IRF7389PBF

HEXFET Power MOSFET

IRF

International Rectifier

IRF7389PBF

Generation V Technology

IRF

International Rectifier

IRF7389PBF

GENERATION V TECHNOLOGY

IRF

International Rectifier

IRF7389PBF_15

GENERATION V TECHNOLOGY

IRF

International Rectifier

IRF7389PBF-1

Industry-standard pinout SO-8 Package

IRF

International Rectifier

IRF7389PBF-1_15

Industry-standard pinout SO-8 Package

IRF

International Rectifier

IRF7389TR

Generationvtechnology

IRF

International Rectifier

IRF7389TR

DualNPChannelMOSFET

Features N-Ch: VDS(V)=30V RDS(ON)

EVVOSEMIEVER SEMICONDUCTOR CO.,LIMITED

翊歐翊歐半導(dǎo)體

IRF7389TR

DualNPChannelMOSFET

Features N-Ch: eVbDs(v=30V ?RbsEN)

UMWGuangdong Youtai Semiconductor Co., Ltd.

友臺半導(dǎo)體廣東友臺半導(dǎo)體有限公司

IRF7389TRPBF

N-ChannelandP-ChannelEnhancementModePowerMOSFET

Features ?N-Channel:30V,10A RDS(ON)

BychipBYCHIP ELECTRONICS CO., LIMITED

百域芯深圳市百域芯科技有限公司

詳細參數(shù)

  • 型號:

    IRF7389PBF

  • 功能描述:

    MOSFET 30V DUAL N/P CH 20V VGS MAX

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導(dǎo)通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風(fēng)格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

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更多IRF7389PBF供應(yīng)商 更新時間2025-2-8 14:00:00