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IRF7328PBF中文資料IRF數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

IRF7328PBF
廠商型號

IRF7328PBF
功能描述

HEXFET? Power MOSFET
文件大小

167.52 Kbytes
頁面數(shù)量

8 頁
生產(chǎn)廠商 International Rectifier
企業(yè)簡稱

IRF

中文名稱

International Rectifier官網(wǎng)
原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-3-13 11:23:00
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IRF7328PBF規(guī)格書詳情

Description

New trench HEXFET? Power MOSFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the ruggedized device design that HEXFET power MOSFETs are well known for, provides the designer with an extremely efficient and reliable device for use in battery and load management applications.

● Trench Technology

● Ultra Low On-Resistance

● Dual P-Channel MOSFET

● Available in Tape & Reel

● Lead-Free

產(chǎn)品屬性

  • 型號：

    IRF7328PBF

  • 功能描述：

    MOSFET DUAL -30V P-CH 20V VGS MAX

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓：

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓：

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流：

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS（導通）：

    0.014 Ohms

  • 配置：

    Single

  • 安裝風格：

    Through Hole

  • 封裝/箱體：

    Max247

  • 封裝：

    Tube

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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