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IRF7309PBF中文資料IRF數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書
IRF7309PBF規(guī)格書詳情
Description
Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve the lowest possible on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design for which HEXFET Power MOSFETs are well known, provides the designer with an extremely efficient device for use in a wide variety of applications.
Generation V Technology
Ultra Low On-Resistance
Dual N and P Channel Mosfet
Surface Mount
Available in Tape & Reel
Dynamic dv/dt Rating
Fast Switching
Lead-Free
產(chǎn)品屬性
- 型號(hào)：
IRF7309PBF
- 功能描述：
MOSFET 30V DUAL N/P CH 20V VGS MAX
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶體管極性：
N-Channel
- 汲極/源極擊穿電壓：
650 V
- 閘/源擊穿電壓：
25 V
- 漏極連續(xù)電流：
130 A 電阻汲極/源極
- RDS（導(dǎo)通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安裝風(fēng)格：
Through Hole
- 封裝/箱體：
Max247
- 封裝：
Tube
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IR |
23+ |
NA/ |
1271 |
優(yōu)勢代理渠道,原裝正品,可全系列訂貨開增值稅票 |
詢價(jià) | ||
IR |
13+ |
SOP-8 |
191 |
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詢價(jià) | ||
INFINEON |
21+ |
標(biāo)準(zhǔn)封裝 |
100 |
保證原裝正品,需要聯(lián)系張小姐 13544103396 微信同號(hào) |
詢價(jià) | ||
IR |
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IR |
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SOP-8 |
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IR |
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