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IRF7204中文資料翊歐數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

IRF7204
廠商型號

IRF7204

功能描述

- 30V P - Channel Enhancement Mode MOSFET

絲印標識

IRF7204

封裝外殼

SOP-8

文件大小

1.04499 Mbytes

頁面數(shù)量

7

生產(chǎn)廠商 EVER SEMICONDUCTOR CO.,LIMITED
企業(yè)簡稱

EVVOSEMI翊歐

中文名稱

翊歐半導體官網(wǎng)

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二

更新時間

2025-2-12 13:12:00

IRF7204規(guī)格書詳情

General Description:

The IRF7204 is the single P-Channel logic

enhancement mode power field effect transistors to provide excellent RDS(on), low gate charge and low

gate resistance. It’s up to -30V operation voltage is well

suited in switching mode power supply, SMPS, notebook computer power management and other battery powered circuits.

Features:

RDS(ON)<55m @VGS=10V RDS(ON)<90m @VGS=4.5V

Super high density cell design for extremely low

RDS(ON) Exceptional on-resistance and maximum DC current

Applications:

Switching power supply, SMPS

Battery Powered System

DC/DC Converter

DC/AC Converter

Load Switch

產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    IRF7204

  • 功能描述:

    MOSFET P-CH 20V 5.3A 8-SOIC

  • RoHS:

  • 類別:

    分離式半導體產(chǎn)品 >> FET - 單

  • 系列:

    HEXFET®

  • 標準包裝:

    1,000

  • 系列:

    MESH OVERLAY™ FET

  • 型:

    MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET

  • 特點:

    邏輯電平門

  • 漏極至源極電壓(Vdss):

    200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°

  • C:

    18A 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25°

  • C:

    180 毫歐 @ 9A,10V Id 時的

  • Vgs(th)(最大):

    4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @

  • Vgs:

    72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @

  • Vds:

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大:

    40W

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-220-3 整包

  • 供應商設備封裝:

    TO-220FP

  • 包裝:

    管件

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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