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IRF6702M2DTR1PBF

INFINEON
NA

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

相關(guān)企業(yè):天津市博通航睿技術(shù)有限公司

IRF6702M2DTR1PBF

Infineon Technologies
原裝

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

相關(guān)企業(yè):深圳市億智騰科技有限公司

IRF6702M2DTR1PBF

INFINEON
NA

EON

Eon Silicon Solution Inc.

相關(guān)企業(yè):天津市博通航睿技術(shù)有限公司

IRF6702M2DTR1PBF

Infineon Technologies
原裝

CH

CH Products

相關(guān)企業(yè):深圳市億智騰科技有限公司

IRF6702M2DTR1PBF

Infineon Technologies
原裝

IES

Illuminating Engineering Society of North America

相關(guān)企業(yè):深圳市億智騰科技有限公司

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號(hào):

    IRF6702M2DTR1PBF

  • 功能描述:

    MOSFET 2N-CH 30V 15A DIRECTFET

  • RoHS:

  • 類別:

    分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 陣列

  • 系列:

    HEXFET®

  • 產(chǎn)品目錄繪圖:

    8-SOIC Mosfet Package

  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝:

    1

  • 系列:

    - FET

  • 型:

    2 個(gè) N 溝道(雙) FET

  • 特點(diǎn):

    邏輯電平門

  • 漏極至源極電壓(Vdss):

    60V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°

  • C:

    3A 開(kāi)態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25°

  • C:

    75 毫歐 @ 4.6A,10V Id 時(shí)的

  • Vgs(th)(最大):

    3V @ 250µA 閘電荷(Qg) @

  • Vgs:

    20nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @

  • Vds:

    - 功率 -

  • 最大:

    1.4W

  • 安裝類型:

    表面貼裝

  • 封裝/外殼:

    PowerPAK? SO-8

  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝:

    PowerPAK? SO-8

  • 包裝:

    Digi-Reel®

  • 產(chǎn)品目錄頁(yè)面:

    1664(CN2011-ZH PDF)

  • 其它名稱:

    SI7948DP-T1-GE3DKR

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
Infineon Technologies
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Infineon Technologies
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7000
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更多IRF6702M2DTR1PBF供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-1-27 13:02:00