IRF6691中文資料IRF數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書
IRF6691規(guī)格書詳情
HEXFET Power MOSFET plus Schottky Diode
● Application Specific MOSFETs
● Integrates Monolithic Trench Schottky Diode
● Ideal for CPU Core DC-DC Converters
● Low Conduction Losses
● Low Reverse Recovery Losses
● Low Switching Losses
● Low Reverse Recovery Charge and Low Vf
● Low Profile (<0.7 mm)
● Dual Sided Cooling Compatible
● Compatible with existing Surface Mount Techniques
產(chǎn)品屬性
- 型號：
IRF6691
- 功能描述：
MOSFET 20V 1 N-CH HEXFET 1.8mOhms 47nC
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶體管極性：
N-Channel
- 汲極/源極擊穿電壓：
650 V
- 閘/源擊穿電壓：
25 V
- 漏極連續(xù)電流：
130 A 電阻汲極/源極
- RDS（導通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安裝風格：
Through Hole
- 封裝/箱體：
Max247
- 封裝：
Tube
| 供應商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IR |
21+ |
DirectFET |
10000 |
原裝現(xiàn)貨假一罰十 |
詢價 | ||
IR |
1204 |
QFN |
1000 |
普通 |
詢價 | ||
IR |
22+ |
QFN |
20000 |
深圳原裝現(xiàn)貨正品有單價格可談 |
詢價 | ||
IR |
17+ |
QFN |
6200 |
100%原裝正品現(xiàn)貨 |
詢價 | ||
IR |
23+ |
QFN |
90000 |
一定原裝正品 |
詢價 | ||
IOR |
24+ |
QFN |
1772 |
詢價 | |||
IR |
1923+ |
DIRECTF |
5000 |
正品原裝品質(zhì)假一賠十 |
詢價 | ||
IR |
23+ |
NA/ |
892 |
優(yōu)勢代理渠道,原裝正品,可全系列訂貨開增值稅票 |
詢價 | ||
IR |
21+ |
DIRECTFET |
1709 |
詢價 | |||
IOR |
23+ |
QFN/DirectFET-M |
30000 |
代理全新原裝現(xiàn)貨,價格優(yōu)勢 |
詢價 |
